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1. (WO2018084149) COMPOSITION DE RÉSINE, FEUILLE DE RÉSINE, FILM DURCI, DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2018/084149 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039352
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 31.10.2017
CIB :
C08L 79/08 (2006.01) ,C08F 8/48 (2006.01) ,C08G 8/28 (2006.01) ,C08K 5/20 (2006.01) ,C08K 5/29 (2006.01) ,C08L 25/18 (2006.01) ,C08L 61/14 (2006.01) ,C08L 79/04 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/023 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/22 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
79
Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévues dans les groupes C08L61/-C08L77/292
04
Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
08
Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
8
Modification chimique par post-traitement
48
Isomérisation; Cyclisation
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
8
Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols
28
Polycondensats modifiés chimiquement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
5
Emploi d'ingrédients organiques
16
Composés contenant de l'azote
20
Amides d'acides carboxyliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
5
Emploi d'ingrédients organiques
16
Composés contenant de l'azote
29
Composés contenant des liaisons doubles carbone-azote
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
25
Compositions contenant des homopolymères ou des copolymères de composés possédant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chacun ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par un cycle carbocyclique aromatique; Compositions des dérivés de tels polymères
18
Homopolymères ou copolymères de monomères aromatiques contenant des éléments autres que le carbone et l'hydrogène
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
61
Compositions contenant des polymères de condensation d'aldéhydes ou de cétones; Compositions contenant des dérivés de tels polymères
04
Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols
06
d'aldéhydes avec des phénols
14
Condensats phénol-aldéhydes modifiés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
79
Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement de l'azote, avec ou sans oxygène ou carbone, non prévues dans les groupes C08L61/-C08L77/292
04
Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale; Polyhydrazides; Polyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
022
Quinonediazides
023
Quinonediazides macromoléculaires; Additifs macromoléculaires, p.ex. liants
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
22
caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
Déposants :
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
Inventeurs :
小森悠佑 KOMORI, Yusuke; JP
三好一登 MIYOSHI, Kazuto; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21477702.11.2016JP
Titre (EN) RESIN COMPOSITION, RESIN SHEET, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELECTRONIC COMPONENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL DISPLAY DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE, FEUILLE DE RÉSINE, FILM DURCI, DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE
(JA) 樹脂組成物、樹脂シート、硬化膜、有機EL表示装置、半導体電子部品、半導体装置および有機EL表示装置の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a resin composition which has high sensitivity and exhibits high chemical resistance even in cases where the resin composition is fired at a low temperature of 250°C or less, and which is able to be suppressed in the generation of an outgas after curing. The present invention is a resin composition which contains (a) an alkali-soluble resin that contains a polyimide, a polybenzoxazole, a polyamide-imide, a precursor of one of these compounds and/or a copolymer of these compounds and (b) an alkali-soluble resin that has a monovalent or divalent group represented by general formula (1) in a structural unit, and wherein the modification rate of phenolic hydroxyl groups of the alkali-soluble resin (b) is 5-50%. (In general formula (1), O represents an oxygen atom; R1 represents a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms; R2 represents an alkyl group having 1-5 carbon atoms; each of s and t independently represents an integer of 0-3, provided that (s + t) ≥ 1; d represents an integer of 0-2; u represents an integer of 1-2; and * represents a chemical bond.)
(FR) La présente invention concerne une composition de résine qui présente une sensibilité élevée et manifeste une résistance aux produits chimiques élevée même dans les cas où la composition de résine est enflammée à une basse température de 250 °C ou moins, et qui peut être éliminée lors de la génération d'un dégagement gazeux après durcissement. La présente invention est une composition de résine qui contient (a) une résine soluble dans les alcalis qui contient un polyimide, un polybenzoxazole, un polyamide-imide, un précurseur d'un de ces composés et/ou un copolymère de ces composés et (b) une résine soluble dans les alcalis qui contient un groupe monovalent ou divalent représenté par la formule générale (1) dans un motif structural, et où le taux de modification des groupes hydroxyle phénoliques de la résine soluble dans les alcalis (b) est de 5 à 50 %. (Dans la formule générale (1), O représente un atome d'oxygène ; R1 représente un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarboné éventuellement substitué ayant de 1 à 20 atomes de carbone ; R2 représente un groupe alkyle ayant de 1 à 5 atomes de carbone ; chacun des s et t représente indépendamment un nombre entier de 0 à 3, à condition que (s +t) ≥ 1 ; d représente un nombre entier de 0 à 2 ; u représente un nombre entier de 1 à 2 ; et * représente une liaison chimique).
(JA) 本発明は高感度で、250℃以下の低温で焼成した場合でも、耐薬品性が高く、硬化後のアウトガスの発生を抑制することのできる樹脂組成物を提供することである。本発明は(a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体および/またはそれらの共重合体を含むアルカリ可溶性樹脂と、(b)構造単位中に下記一般式(1)で表される1価または2価の基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有し、前記アルカリ可溶性樹脂(b)のフェノール性水酸基の変性率が5~50%である樹脂組成物である。 (一般式(1)中、Oは酸素原子を表す。Rは水素原子または置換されていてもよい炭素数1~20の炭化水素基、Rは炭素数1~5のアルキル基を表す。sおよびtはそれぞれ独立に0~3の整数を表す。ただし、s+t≧1である。dは0~2の整数を表す。uは1~2の整数を表し、*は化学結合を表す。)
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)