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1. (WO2018084101) DISPOSITIF DE SOURCE LUMINEUSE
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N° de publication : WO/2018/084101 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039040
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 30.10.2017
CIB :
B60Q 1/04 (2006.01) ,B60Q 11/00 (2006.01) ,F21V 23/00 (2015.01) ,H01S 5/022 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.[JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs : YAMANAKA Kazuhiko; --
MATSUMOTO Kenichi; --
YAMAGUCHI Hideo; --
OKAZAKI Wakahiko; --
ENAMI Yasuhiko; --
KOBAYASHI Taku; --
ADACHI Kazuki; --
UENO Hirotaka; --
Mandataire : KAMATA Kenji; JP
MAEDA Hiroo; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21677604.11.2016JP
Titre (EN) LIGHT SOURCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE SOURCE LUMINEUSE
(JA) 光源装置
Abrégé : front page image
(EN) This light source device (100) is provided with: a mounting substrate (160) that is a multilayer substrate; a semiconductor light emitting device (10) that emits laser light; a wavelength conversion member (4) that radiates fluorescent light upon irradiation of excitation light which is the laser light emitted from the semiconductor light emitting device (10); a state detection circuit (1); a field effect transistor (30) that receives the output from the state detection circuit (1) and regulates the amount of current applied to the semiconductor light emitting device (10); and an external connection member (166). The semiconductor light emitting device (10), the state detection circuit (1), the transistor (30) and the external connection member (166) are mounted on the single mounting substrate (160).
(FR) La présente invention concerne un dispositif de source lumineuse (100) qui est pourvu des composants suivants : un substrat de montage (160) qui est un substrat multicouche ; un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (10) qui émet une lumière laser ; un élément de conversion de longueur d'onde (4) qui rayonne une lumière fluorescente lors du rayonnement d'une lumière d'excitation qui est la lumière laser émise par le dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (10) ; un circuit de détection d'état (1) ; un transistor à effet de champ (30) qui reçoit la sortie du circuit de détection d'état (1) et régule la quantité de courant appliquée au dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (10) ; et un élément de connexion externe (166). Le dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (10), le circuit de détection d'état (1), le transistor (30) et l'élément de connexion externe (166) sont montés sur le substrat de montage unique (160).
(JA) 光源装置(100)は、多層基板である実装基板(160)と、レーザ光を出射する半導体発光装置(10)と、半導体発光装置(10)から出射したレーザ光が励起光として照射されることで蛍光を放射する波長変換部材(4)と、状態検出回路(1)と、状態検出回路(1)からの出力を受けて半導体発光装置(10)に印加される電流量を調整する電界効果型のトランジスタ(30)と、外部接続部材(166)とを備え、半導体発光装置(10)、状態検出回路(1)、トランジスタ(30)、外部接続部材(166)は、単一の実装基板(160)に実装される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)