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1. (WO2018084050) COMPOSÉ SEL D’ONIUM CONTENANT UN MÉTAL, BASE PHOTODÉGRADABLE, ET COMPOSITION DE RÉSERVE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF METTANT EN ŒUVRE CETTE COMPOSITION
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N° de publication : WO/2018/084050 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/038522
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2017
CIB :
C07F 7/22 (2006.01) ,C07C 309/04 (2006.01) ,C07C 309/07 (2006.01) ,C07C 309/12 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,C07C 381/12 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
7
Composés contenant des éléments du 4ème groupe de la classification périodique
22
Composés de l'étain
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
309
Acides sulfoniques; Leurs halogénures, esters ou anhydrides
01
Acides sulfoniques
02
ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques
03
d'un squelette carboné acyclique saturé
04
contenant un seul groupe sulfo
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
309
Acides sulfoniques; Leurs halogénures, esters ou anhydrides
01
Acides sulfoniques
02
ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques
03
d'un squelette carboné acyclique saturé
07
contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
309
Acides sulfoniques; Leurs halogénures, esters ou anhydrides
01
Acides sulfoniques
02
ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques
03
d'un squelette carboné acyclique saturé
07
contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné
12
contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
381
Composés contenant du carbone et du soufre et comportant des groupes fonctionnels non couverts par les groupes C07C301/-C07C337/163
12
Composés sulfonium
Déposants :
東洋合成工業株式会社 TOYO GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 千葉県市川市上妙典1603番地 1603 Kamimyoden, Ichikawa-shi, Chiba 2720012, JP
Inventeurs :
内藤 倫哉 NAITO, Michiya; JP
早川 正道 HAYAKAWA, Masamichi; JP
内海 義之 UTSUMI, Yoshiyuki; JP
Mandataire :
SK特許業務法人 SK INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 東京都渋谷区広尾3-12-40 広尾ビル4階 Hiroo-Building 4th Floor, 3-12-40, Hiroo, Shibuya-ku, Tokyo 1500012, JP
奥野 彰彦 OKUNO Akihiko; JP
伊藤 寛之 ITO Hiroyuki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21697907.11.2016JP
Titre (EN) METAL-CONTAINING ONIUM SALT COMPOUND, PHOTODISINTEGRABLE BASE, RESIST COMPOSITION, AND PROCESS FOR PRODUCING DEVICE USING SAID RESIST COMPOSITION
(FR) COMPOSÉ SEL D’ONIUM CONTENANT UN MÉTAL, BASE PHOTODÉGRADABLE, ET COMPOSITION DE RÉSERVE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF METTANT EN ŒUVRE CETTE COMPOSITION
(JA) 金属含有オニウム塩化合物、光崩壊性塩基及びレジスト組成物、並びに、該レジスト組成物を用いたデバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided are: a metal-containing onium salt compound suitable for use as a photodisintegrable base for resist compositions which have satisfactory sensitivity to ionizing radiation such as extreme ultraviolet (EUV), are excellent in terms of resolution and focal depth in lithography, and can give fine patterns reduced in line width roughness (LWR); and a resist composition containing the metal-containing onium salt compound. The onium salt compound useful as a photodisintegrable base contains a specific metal.
(FR) L’invention fournit un composé sel d’onium contenant un métal qui présente une sensibilité satisfaisante vis-à-vis d’un rayonnement ionisant tel qu’un rayonnement ultraviolet extrême (UVE), ou similaire, qui se révèle excellent en termes de profondeur de foyer et de résolution en lithographie, et qui peut être mis en œuvre de manière adéquate dans une base photodégradable d’une composition de réserve permettant de réduire les irrégularités de largeur de trait (LWR) dans un motif microscopique. L’invention fournit également une composition de réserve mettant en œuvre ce composé sel d’onium contenant un métal. Le composé sel d’onium de l’invention comprend un métal spécifique en tant que base photodégradable.
(JA) 極端紫外線(EUV)等の電離放射線に対して感度がよく、リソグラフィにおける解像性及び焦点深度に優れ、且つ、微細パターンにおけるLWR(Line width roughness)を低減できるレジスト組成物の光崩壊性塩基に好適に用いられる金属含有オニウム塩化合物及びそれを用いたレジスト組成物を提供する。 光崩壊性塩基として特定の金属を含有するオニウム塩化合物とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)