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1. (WO2018084047) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/084047    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/038489
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : MORIWAKI Toshiki; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO Takahisa; (JP).
YOSHII Masaaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-215162 02.11.2016 JP
Titre (EN) IMAGING ELEMENT, SOLID STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An imaging element includes a first electrode, a second electrode, and a light receiving layer between the first electrode and the second electrode to receive incident light from the second electrode. The second electrode includes an indium-tin oxide layer which includes at least one of silicon or silicon oxide.
(FR)L'invention concerne un élément d'imagerie comprenant une première électrode, une seconde électrode et une couche de réception de lumière entre la première électrode et la seconde électrode pour recevoir la lumière incidente provenant de la seconde électrode. La seconde électrode comprend une couche d'oxyde d'indium-étain qui comprend au moins l'un parmi le silicium ou l'oxyde de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)