WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018084007) DISPOSITIF À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/084007    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/038106
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 23.10.2017
CIB :
H03B 15/00 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : TDK CORPORATION [JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023 (JP)
Inventeurs : YAMANE Takekazu; (JP).
SHIBATA Tetsuya; (JP).
SUZUKI Tsuyoshi; (JP).
URABE Junichiro; (JP).
SHIMURA Atsushi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-216854 07.11.2016 JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT DEVICE
(FR) DISPOSITIF À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果デバイス
Abrégé : front page image
(EN)A magnetoresistive effect device 100 is characterized in having: an MR unit 20 having an input port 9a, an input-side signal line 7, magnetoresistive effect elements 1a, 1b, and a magnetic field generation signal line 18; and an output unit 21 having magnetoresistive effect elements 14a, 14b, an output-side signal line 17, and an output port 9b; the magnetoresistive effect device 100 further having a DC application terminal 11; the output port 9b and the magnetoresistive effect elements 14a, 14b of the output unit 21 being connected via the output-side signal line 17; the input-side signal line 7 being disposed so that a high-frequency magnetic field generated from the input-side signal line 7 is applied to the magnetoresistive effect elements 1a, 1b of the MR unit 20; the magnetoresistive effect elements 1a, 1b and the magnetic field generation signal line 18 being connected in the MR unit 20; and the magnetic field generation signal line 18 being disposed so that a high-frequency magnetic field generated from the magnetic field generation signal line 18 is applied to the magnetoresistive effect elements 14a, 14b of the output unit 21.
(FR)Un dispositif à effet magnétorésistif 100 est caractérisé en ce qu'il comprend : une unité MR 20 ayant un orifice d'entrée 9a, une ligne de signal côté entrée 7, des éléments à effet magnétorésistif 1a, 1b, et une ligne de signal de génération de champ magnétique 18 ; et une unité de sortie 21 ayant des éléments à effet magnétorésistif 14a, 14b, une ligne de signal côté sortie 17, et un orifice de sortie 9b ; le dispositif à effet magnétorésistif 100 comprenant en outre un terminal d'application de courant continu 11 ; l'orifice de sortie 9b et les éléments à effet magnétorésistif 14a, 14b de l'unité de sortie 21 étant connectés par l'intermédiaire de la ligne de signal côté sortie 17 ; la ligne de signal côté entrée 7 étant disposée de telle sorte qu'un champ magnétique à haute fréquence généré à partir de la ligne de signal côté entrée 7 est appliqué aux éléments à effet magnétorésistif 1a, 1b de l'unité MR 20 ; les éléments à effet magnétorésistif 1a, 1b et la ligne de signal de génération de champ magnétique 18 étant connectés dans l'unité MR 20 ; et la ligne de signal de génération de champ magnétique 18 étant disposée de telle sorte qu'un champ magnétique à haute fréquence généré à partir de la ligne de signal de génération de champ magnétique 18 est appliqué aux éléments à effet magnétorésistif 14a, 14b de l'unité de sortie 21.
(JA)磁気抵抗効果デバイス100は、入力ポート9aと、入力側信号線路7と、磁気抵抗効果素子1a、1bおよび磁場発生用信号線路18を有するMRユニット20と、磁気抵抗効果素子14a、14b、出力側信号線路17および出力ポート9bを有する出力ユニット21とを有し、さらに、直流印加端子11を有し、出力ユニット21の磁気抵抗効果素子14a、14bと出力ポート9bが出力側信号線路17を介して接続され、入力側信号線路7は、入力側信号線路7から発生する高周波磁場がMRユニット20の磁気抵抗効果素子1a、1bに印加されるように配置され、MRユニット20において、磁気抵抗効果素子1a、1bと磁場発生用信号線路18とが接続され、磁場発生用信号線路18は、磁場発生用信号線路18から発生する高周波磁場が出力ユニット21の磁気抵抗効果素子14a、14bに印加されるように配置されていることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)