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1. (WO2018084007) DISPOSITIF À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF

Pub. No.:    WO/2018/084007    International Application No.:    PCT/JP2017/038106
Publication Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Oct 24 01:59:59 CEST 2017
IPC: H03B 15/00
G11B 5/39
H01L 43/08
Applicants: TDK CORPORATION
TDK株式会社
Inventors: YAMANE Takekazu
山根 健量
SHIBATA Tetsuya
柴田 哲也
SUZUKI Tsuyoshi
鈴木 健司
URABE Junichiro
占部 順一郎
SHIMURA Atsushi
志村 淳
Title: DISPOSITIF À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
Abstract:
Un dispositif à effet magnétorésistif 100 est caractérisé en ce qu'il comprend : une unité MR 20 ayant un orifice d'entrée 9a, une ligne de signal côté entrée 7, des éléments à effet magnétorésistif 1a, 1b, et une ligne de signal de génération de champ magnétique 18 ; et une unité de sortie 21 ayant des éléments à effet magnétorésistif 14a, 14b, une ligne de signal côté sortie 17, et un orifice de sortie 9b ; le dispositif à effet magnétorésistif 100 comprenant en outre un terminal d'application de courant continu 11 ; l'orifice de sortie 9b et les éléments à effet magnétorésistif 14a, 14b de l'unité de sortie 21 étant connectés par l'intermédiaire de la ligne de signal côté sortie 17 ; la ligne de signal côté entrée 7 étant disposée de telle sorte qu'un champ magnétique à haute fréquence généré à partir de la ligne de signal côté entrée 7 est appliqué aux éléments à effet magnétorésistif 1a, 1b de l'unité MR 20 ; les éléments à effet magnétorésistif 1a, 1b et la ligne de signal de génération de champ magnétique 18 étant connectés dans l'unité MR 20 ; et la ligne de signal de génération de champ magnétique 18 étant disposée de telle sorte qu'un champ magnétique à haute fréquence généré à partir de la ligne de signal de génération de champ magnétique 18 est appliqué aux éléments à effet magnétorésistif 14a, 14b de l'unité de sortie 21.