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1. (WO2018083890) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/083890 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/033183
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 14.09.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 1/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
08
Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
Déposants :
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661, JP
Inventeurs :
長瀬 拓生 NAGASE Takuo; JP
Mandataire :
金 順姫 JIN Shunji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21574603.11.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) This semiconductor device is provided with: a first semiconductor chip (32) wherein an IGBT is formed; a second semiconductor chip (33) wherein an MOSFET connected in parallel to the IGBT is formed; a first metal member (34) electrically connected to a collector electrode and a drain electrode; and a second metal member (38) electrically connected to an emitter electrode and a source electrode. The IGBT and the MOSFET connected in parallel to each other are turned on in the order of the IGBT and the MOSFET, and are turned off in the order of the MOSFET and the IGBT. The second metal member has: a main body section (380), on which the first and second semiconductor chips are mounted; and joint sections (381, 382) as terminal sections connected to the main body section. In planar view from the Z direction, the shortest distance between the joint sections and the first semiconductor chip is shorter than the shortest distance between the joint sections and the second semiconductor chip.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu : d'une première puce à semi-conducteur (32) dans laquelle un IGBT est formé ; d'une seconde puce à semi-conducteur (33) dans laquelle un MOSFET connecté en parallèle à l'IGBT est formé ; d'un premier élément métallique (34) connecté électriquement à une électrode de collecteur et à une électrode de drain ; et d'un second élément métallique (38) connecté électriquement à une électrode d'émetteur et à une électrode de source. L'IGBT et le MOSFET connectés en parallèle l'un à l'autre sont allumés dans l'ordre de l'IGBT et du MOSFET, et sont éteints dans l'ordre du MOSFET et de l'IGBT. Le second élément métallique comprend : une section de corps principal (380), sur laquelle les première et seconde puces à semi-conducteur sont montées ; et des sections de jonction (381, 382) sous forme de sections de borne reliées à la section de corps principal. Dans une vue en plan à partir de la direction Z, la distance la plus courte entre les sections de jonction et la première puce à semi-conducteur est plus courte que la distance la plus courte entre les sections de jonction et la seconde puce à semi-conducteur.
(JA) 半導体装置は、IGBTが形成された第1半導体チップ(32)、IGBTと並列接続されるMOSFETが形成された第2半導体チップ(33)、コレクタ電極及びドレイン電極と電気的に接続された第1金属部材(34)、エミッタ電極及びソース電極と電気的に接続された第2金属部材(38)と、を備える。並列接続されたIGBT及びMOSFETは、IGBT、MOSFETの順でターンオンされるとともに、MOSFET、IGBTの順でターンオフされる。第2金属部材は、第1、第2半導体チップが搭載される本体部(380)と、本体部に連なる端子部としての継手部(381,382)を有する。Z方向からの平面視において、継手部と第1半導体チップとの最短距離が、継手部と第2半導体チップとの最短距離よりも短くなっている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)