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1. (WO2018083883) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'INSPECTION À ULTRASONS
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N° de publication : WO/2018/083883 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032546
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 08.09.2017
CIB :
G01N 29/265 (2006.01) ,G01N 29/28 (2006.01) ,G01R 31/26 (2014.01) ,G01R 31/28 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
29
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi d'ondes ultrasonores, sonores ou infrasonores; Visualisation de l'intérieur d'objets par transmission d'ondes ultrasonores ou sonores à travers l'objet
22
Détails
26
Dispositions pour l'orientation ou le balayage
265
en déplaçant le capteur par rapport à un matériau fixe
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
29
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi d'ondes ultrasonores, sonores ou infrasonores; Visualisation de l'intérieur d'objets par transmission d'ondes ultrasonores ou sonores à travers l'objet
22
Détails
28
pour établir le couplage acoustique
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
26
Essai de dispositifs individuels à semi-conducteurs
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28
Essai de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
Déposants :
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventeurs :
松本 徹 MATSUMOTO Toru; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21602804.11.2016JP
Titre (EN) ULTRASONIC INSPECTION DEVICE AND ULTRASONIC INSPECTION METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'INSPECTION À ULTRASONS
(JA) 超音波検査装置及び超音波検査方法
Abrégé :
(EN) This ultrasonic inspection device 1, for inspecting a packaged semiconductor device D, is provided with: an ultrasonic transducer 2 which outputs ultrasonic waves W2 to a semiconductor device D; a receiver (a reflection detection unit) 13 which detects reflected waves of the ultrasonic waves W reflected on the semiconductor device D; a stage 3 which moves the relative positions of the semiconductor device D and the ultrasonic transducer 2; a stage control unit 21 which controls driving of the stage 3; and an analysis unit 22 which analyzes the reaction of the semiconductor device D to the input of the ultrasonic waves W from the ultrasonic transducer 2. The stage control unit 21 controls the distance between the semiconductor device D and the ultrasonic transducer 2 on the basis of a peak occurring in time waveform K of the reflected wave detected by the receiver 13.
(FR) Cette invention concerne un dispositif d'inspection à ultrasons 1, permettant d'inspecter un dispositif à semi-conducteur D encapsulé, comprenant : un transducteur ultrasonore 2 qui délivre des ondes ultrasonores W2 à un dispositif à semi-conducteur D ; un récepteur (unité de détection de réflexion) 13 qui détecte les ondes réfléchies des ondes ultrasonores W réfléchies sur le dispositif à semi-conducteur D ; un étage 3 qui déplace les positions relatives du dispositif à semi-conducteur D et du transducteur ultrasonore 2 ; une unité de commande d'étage 21 qui commande l'entraînement de l'étage 3 ; et une unité d'analyse 22 qui analyse la réaction du dispositif à semi-conducteur D à l'application des ondes ultrasonores W provenant du transducteur ultrasonore 2. L'unité de commande d'étage 21 gère la distance entre le dispositif à semi-conducteur D et le transducteur ultrasonore 2 en fonction d'un pic apparaissant dans la forme d'onde temporelle K de l'onde réfléchie détectée par le récepteur 13.
(JA) 超音波検査装置1は、パッケージ化された半導体デバイスDを検査対象とする装置であって、半導体デバイスDに対して超音波Wを出力する超音波振動子2と、半導体デバイスDで反射した超音波Wの反射波を検出するレシーバ(反射検出部)13と、半導体デバイスDと超音波振動子2との相対位置を移動させるステージ3と、ステージ3の駆動を制御するステージ制御部21と、超音波振動子2による超音波Wの入力に応じた半導体デバイスDの反応を解析する解析部22と、を備え、ステージ制御部21は、レシーバ13で検出された反射波の時間波形Kに出現するピークに基づいて、半導体デバイスDと超音波振動子2との距離を制御する。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)