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1. (WO2018083837) CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDES ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, CIBLE DE PULVÉRISATION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/083837    International Application No.:    PCT/JP2017/023375
Publication Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jun 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: C04B 35/01
C23C 14/34
H01L 21/336
H01L 21/363
H01L 29/786
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: MIYANAGA, Miki
宮永 美紀
WATATANI, Kenichi
綿谷 研一
AWATA, Hideaki
粟田 英章
TOKUDA, Kazuya
徳田 一弥
TOMINAGA, Aiko
富永 愛子
Title: CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDES ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, CIBLE DE PULVÉRISATION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne : un corps fritté à base d'oxydes comprenant une phase cristalline d'In2O3, une phase cristalline de Zn4In2O7 et une phase cristalline de ZnWO4, dans lequel la circularité des grains cristallins formés à partir de la phase cristalline de ZnWO4 est supérieure ou égale à 0,01 et inférieure à 0,7 ; un procédé de production du corps fritté à base d'oxydes ; et un procédé de production d'un dispositif semi-conducteur comprenant un film semi-conducteur à base d'oxydes utilisant le corps fritté à base d'oxydes en tant que cible de pulvérisation.