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1. (WO2018083593) DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE À FILM MINCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE
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N° de publication :    WO/2018/083593    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/056764
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 31.10.2017
CIB :
H01M 8/1097 (2016.01), H01M 8/1286 (2016.01), H01M 4/88 (2006.01), H01M 6/40 (2006.01)
Déposants : KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [SA/SA]; 4700 King Abdullah University of Science and Technology Thuwal, 23955-6900 (SA)
Inventeurs : CAVAZOS SEPULVEDA, Adrián César; (SA).
TORRES SEVILLA, Galo Andrés; (SA)
Données relatives à la priorité :
62/415,624 01.11.2016 US
Titre (EN) THIN-FILM ELECTROCHEMICAL DEVICE, METHOD OF MAKING A THIN-FILM ELECTROCHEMICAL DEVICE, AND ENERGY CONVERTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE À FILM MINCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film electrochemical device includes a monolithic substrate, which includes a cavity enclosed by bottom and side surfaces of the substrate, and a thin-film arranged on a top surface of the substrate and enclosing the cavity. The thin-film is permeable to ions.
(FR)L'invention concerne un dispositif électrochimique à film mince comprenant un substrat monolithique, qui comprend une cavité entourée par des surfaces de fond et latérales du substrat, et un film mince disposé sur une surface supérieure du substrat et fermant la cavité. Le film mince est perméable aux ions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)