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1. (WO2018083526) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/083526    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/001303
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 30.10.2017
CIB :
H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho Toyota-shi Aichi-ken, 471-8571 (JP).
DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho Kariya-city Aichi-pref, 448-8661 (JP)
Inventeurs : ONISHI, Toru; (JP).
AOI, Sachiko; (JP).
URAKAMI, Yasushi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-216674 04.11.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In an end portion of a trench (6), an opening (22) where the end portion (10) of the trench is exposed is formed in a lead-out electrode (20), a side surface of the trench gate electrode (14) on a top surface side of a semiconductor substrate is spaced from a trench side surface (12), and a range adjacent to a boundary line positioned between a top surface (4) of the semiconductor substrate and the trench side surface is covered with a laminated insulating film configured such that an interlayer insulating film is laminated on a gate insulating film. This makes it possible to prevent dielectric breakdown of an insulating film.
(FR)Selon l'invention, dans une partie d'extrémité d'une tranchée (6), une ouverture (22) où la partie d'extrémité (10) de la tranchée est exposée est formée dans une électrode de sortie (20), une surface latérale de l'électrode de grille de tranchée (14) sur un côté de surface supérieure d'un substrat semiconducteur est espacée d'une surface latérale de tranchée (12), et une plage adjacente à une ligne de limite positionnée entre une surface supérieure (4) du substrat semiconducteur et la surface latérale de tranchée est recouverte d'un film isolant stratifié configuré de telle sorte qu'un film isolant intercouche est stratifié sur un film d'isolation de grille. Ceci permet d'empêcher la rupture diélectrique d'un film isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)