WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018083415) PROCEDE DE DÉPÔT DE FILMS MINCES DE CHALCOGENURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/083415 N° de la demande internationale : PCT/FR2017/052998
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 31.10.2017
CIB :
C23C 16/30 (2006.01) ,C23C 16/448 (2006.01) ,C23C 16/452 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES[FR/FR]; Bat le Ponant 25 rue Leblanc 75015 PARIS, FR
Inventeurs : GASSILLOUD, Rémy; FR
Mandataire : GUERRE, Fabien; FR
Données relatives à la priorité :
166058302.11.2016FR
Titre (EN) METHOD FOR DEPOSITING CHALCOGENIDE THIN FILMS
(FR) PROCEDE DE DÉPÔT DE FILMS MINCES DE CHALCOGENURE
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a device for depositing at least one radical chalcogenide thin film on an element to be treated including an intake area (4) and a diffusion area (6) receiving the element (P) to be treated, the intake area (4) and the diffusion area (6) extending along a longitudinal axis (Z), a radical hydrogen source (8) connected to the intake area (4), pumping means (19), means for injecting a reagent reacting with the radical hydrogen to form H2S, and means for supplying a precursor to the diffusion area. The injection means inject the reagent into a central area of the intake area (4) in the longitudinal direction within the radical hydrogen flow. The pumping means (19) are controlled so as to operate during the reagent injection, and generate a flow of H2S along the element to be treated (P) in order to activate said element so as to absorb the precursor.
(FR) Dispositif de dépôt d'au moins film mince radicalaire de chalcogénure sur un élément à traiter comportant une zone d'admission (4), une zone de diffusion (6) recevant l'élément (P) à traiter, la zone d'admission (4) et la zone de diffusion (6) s'étendant le long d'un axe longitudinal (Z), une source d'hydrogène radicalaire (8) connectée à la zone d'admission (4), des moyens de pompage (19), des moyens d'injection d'un réactant réagissant avec l'hydrogène radicalaire pour former de H2S, des moyens d'alimentation de la zone de diffusion en un précurseur. Les moyens d'injection injectent ie réactant dans une zone centrale de la zone d'admission (4) dans la direction longitudinale au sein du flux d'hydrogène radicalaire. Les moyens de pompage (19) sont commandés pour fonctionner pendant l'injection de réactant et g génèrent un écoulement du H2S le long de l'élément à traiter (P) afin d'activer ledit élément pour l'absorption du précurseur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)