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1. (WO2018082811) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DANS UN CIRCUIT FET À GRILLE OUVERTE
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N° de publication : WO/2018/082811 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/001274
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 02.11.2017
CIB :
H03F 1/56 (2006.01) ,G01Q 30/10 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56
Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
Q
TECHNIQUES OU APPAREILS À SONDE À BALAYAGE; APPLICATIONS DES TECHNIQUES DE SONDE À BALAYAGE, p.ex. MICROSCOPIE À SONDE À BALAYAGE [SPM]
30
Moyens auxiliaires destinés à assister ou améliorer les techniques ou les appareils à sonde à balayage, p.ex. dispositifs d’affichage ou de traitement de données
08
Moyens pour établir ou réguler des conditions ambiantes souhaitées au sein d'une enceinte d'échantillonnage
10
thermiques
Déposants :
UNIVERSITÄT DUISBURG-ESSEN [DE/DE]; Universitätsstraße 2 45141 Essen, DE
Inventeurs :
MÖLLER, Rolf; DE
NIENHAUS, Hermann; DE
Mandataire :
MICHALSKI HÜTTERMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB; Speditionstraße 21 40221 Düsseldorf, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 120 909.002.11.2016DE
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR IN AN OPEN GATE FET CIRCUIT
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DANS UN CIRCUIT FET À GRILLE OUVERTE
(DE) FELDEFFEKTTRANSISTOR IN EINER OPEN-GATE-FET-SCHALTUNG
Abrégé :
(EN) The invention relates to the use of a field effect transistor in an open gate FET circuit, wherein the measurement sensitivity is increased in measurements of the smallest signals. This is achieved in that the field effect transistor is cooled such that the leakage currents within the transistor equal less than 10-15 A.
(FR) L'invention vise à augmenter la sensibilité de mesure de très faibles signaux lors de l'utilisation d'un transistor à effet de champ (FET) dans un circuit FET à grille ouverte. Cet objectif est atteint par le fait que le transistor à effet de champ est refroidi de telle manière que les courants de fuite à l'intérieur du transistor sont inférieurs à 10-15 A.
(DE) Bei der Verwendung eines Feldeffekttransistors in einer Open-Gate-FET-Schaltung soll bei Messungen von kleinsten Signalen die Messempfindlichkeit gesteigert werden. Dies wird dadurch erreicht, dass der Feldeffekttransistor derart gekühlt wird, dass die Leckströme innerhalb des Transistors weniger als 10-15 A betragen.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)