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1. (WO2018082455) DISPOSITIF DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/082455 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/107010
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 20.10.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO., LTD[CN/CN]; No.4 Huang Gu Shan Road Hangzhou, Zhejiang 310012, CN
Inventeurs : ZHANG, Shaohua; CN
Mandataire : CCTW INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD; Room A810, Tiancheng Technology Building No.2 Xinfeng Street, Xicheng District Beijing 100088, CN
Données relatives à la priorité :
201610941707.101.11.2016CN
Titre (EN) POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 功率器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN) A power device (100) and a manufacturing method therefor. The power device (100) comprises: a semiconductor substrate (101); a first doped region (102) located on the semiconductor substrate (101); a plurality of second doped regions (111) located in a first region of the first doped region (102); and a plurality of third doped regions (121) located in a second region of the first doped region (102), wherein the plurality of second doped regions (111) are separated from each other by a first pre-determined spacing (S1) and form a first charge compensation structure with the first doped region (102), and the first charge compensation structure and the semiconductor substrate (101) are located on a current channel; and the plurality of third doped regions (121) are separated from each other by a second pre-determined spacing (S2) and form a second charge compensation structure with the first doped region (102), and the second charge compensation structure is used for dispersing continuous surface electric fields of the power device (100). The power device (100) can not only stabilize the voltage resistance of a device and improve the reliability thereof, but can also reduce the on-resistance.
(FR) L'invention concerne un dispositif de puissance (100) et son procédé de préparation. Le dispositif de puissance (100) comprend : un substrat semiconducteur (101); une première région dopée (102) située sur le substrat semiconducteur (101); une pluralité de secondes régions dopées (111) situées dans une première région de la première région dopée (102); et une pluralité de troisièmes régions dopées (121) situées dans une seconde région de la première région dopée (102), la pluralité de secondes régions dopées (111) étant séparées l'une de l'autre par un premier espacement prédéterminé (S1) et forment une première structure de compensation de charge avec la première région dopée (102), et la première structure de compensation de charge et le substrat semiconducteur (101) sont situés sur un canal de courant; et la pluralité de troisièmes régions dopées (121) sont séparées les unes des autres par un second espacement prédéterminé (S2) et forment une seconde structure de compensation de charge avec la première région dopée (102), et la seconde structure de compensation de charge est utilisée pour disperser des champs électriques de surface continue du dispositif de puissance (100). Le dispositif de puissance (100) peut non seulement stabiliser la résistance à la tension d'un dispositif et améliorer sa fiabilité, mais peut également réduire la résistance à l'état passant.
(ZH) 一种功率器件(100)及其制造方法。所述功率器件(100)包括:半导体衬底(101);位于所述半导体衬底(101)上的第一掺杂区(102);位于所述第一掺杂区(102)的第一区域中的多个第二掺杂区(111);以及位于所述第一掺杂区(102)的第二区域中的多个第三掺杂区(121),其中,所述多个第二掺杂区(111)彼此隔开第一预定间距(S1),与所述第一掺杂区(102)形成第一电荷补偿结构,所述第一电荷补偿结构和所述半导体衬底(101)位于电流通道上,所述多个第三掺杂区(121)彼此隔开第二预定间距(S2),与所述第一掺杂区(102)形成第二电荷补偿结构,所述第二电荷补偿结构用于分散所述功率器件(100)连续的表面电场。该功率器件(100)不仅可以稳定器件的耐压,提高可靠性,而且可以降低导通电阻。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)