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PATENTSCOPE

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1. (WO2018082327) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLECTRODES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT MATRICIEL ET APPAREIL D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/082327 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/091131
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 30.06.2017
CIB :
H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015, CN
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY[CN/CN]; No.381 Wushan Rd., Tianhe District, Guangzhou, Guangdong 510640, CN
Inventeurs : YAN, Liangchen; CN
XU, Xiaoguang; CN
LAN, Linfeng; CN
WANG, Lei; CN
PENG, Junbiao; CN
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District, Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201610936120.101.11.2016CN
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING ELECTRODES, METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLECTRODES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT MATRICIEL ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Abrégé : front page image
(EN) A method of fabricating a plurality of electrodes is provided. The method includes forming a hydrophobic pattern (101) containing a hydrophobic material on a base substrate (100), the hydrophobic pattern (101) has a first ridge (1011a) on a first edge (e1) of the hydrophobic pattern (101), the hydrophobic pattern (101) has a thickness at the first ridge (1011a) greater than that in a region outside a region corresponding to the first ridge (1011a); removing a portion of the hydrophobic pattern (101) outside the region corresponding to the first ridge (1011a); and forming a first electrode (103) on a first side of the first ridge (1011a) and a second electrode (104) on a second side of the first ridge (1011a).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité d'électrodes. Le procédé consiste à former un motif hydrophobe (101) contenant un matériau hydrophobe sur un substrat de base (100), le motif hydrophobe (101) ayant une première arête (1011a) sur un premier bord (e1) du motif hydrophobe (101), le motif hydrophobe (101) ayant une épaisseur au niveau de la première arête (1011a) supérieure à celle dans une région à l'extérieur d'une région correspondant à la première arête (1011a) ; à retirer une partie du motif hydrophobe (101) à l'extérieur de la région correspondant à la première arête (1011a) ; et à former une première électrode (103) sur un premier côté de la première arête (1011a) et une seconde électrode (104) sur un second côté de la première arête (1011a).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)