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1. (WO2018082251) DÉTECTEUR D'ULTRAVIOLETS COMPRENANT UN RÉSEAU DE NANOFILS DE GAN, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/082251    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/079209
Date de publication : 11.05.2018 Date de dépôt international : 01.04.2017
CIB :
H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/103 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), B82Y 20/00 (2011.01)
Déposants : SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY [CN/CN]; West Zhongshan Road 55, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510631 (CN)
Inventeurs : HE, Miao; (CN).
WANG, Zhicheng; (CN).
ZHENG, Shuwen; (CN).
ZHU, Ning; (CN)
Mandataire : JIAQUAN IP LAW FIRM; ZHANG, Ping No. 910, Building A, Winner Plaza No. 100, West Huangpu Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510627 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610936288.2 01.11.2016 CN
Titre (EN) ULTRAVIOLET DETECTOR PROVIDED WITH GAN NANOWIRE ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DÉTECTEUR D'ULTRAVIOLETS COMPRENANT UN RÉSEAU DE NANOFILS DE GAN, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are an ultraviolet detector provided with a GaN nanowire array, and a manufacturing method therefor. The detector comprises a substrate (1) and a P-type GaN thin film layer (2), the P-type GaN thin film layer (2) being arranged on the upper surface of the substrate (1), an N-type GaN nanowire array being grown on the P-type GaN thin film layer (2), and a homogeneous PN junction being formed between the N-type GaN nanowires (7) in the N-type GaN nanowire array and the P-type GaN thin film layer (2). The method comprises implementing nanowire gap filling insulation by means of spin-coating glass liquid (4), and implementing electric injection; implementing nanowire array interconnection by means of vapour deposition of a transparent conductive layer (5) to expand the current; and disposing a P-type ohmic electrode (3) on the P-type GaN thin film layer (2) and disposing an N-type ohmic electrode (6) on the transparent conductive layer (5) to thereby make the nanowire array ultraviolet detector. The present method has the advantages of being low cost, having high sensitivity, stable performance, and a simple manufacturing method, and being easy to operate during practical work. The ultraviolet detector and the manufacturing method therefor can be widely used in the technical field of ultraviolet detection.
(FR)L'invention concerne un détecteur d'ultraviolets comprenant un réseu de nanofils de GaN, et son procédé de fabrication. Le détecteur comprend un substrat (1) et une couche de film mince de GaN de type P (2), la couche de film mince de GaN de type P (2) étant disposée sur la surface supérieure du substrat (1), un réseau de nanofils de GaN de type N étant développé sur la couche de film mince de GaN de type P (2), et une jonction PN homogène étant formée entre les nanofils de GaN de type N (7) dans le réseau de Nanofils de GaN de type N et la couche de film mince de GaN de type P (2). Le procédé comprend la mise en œuvre d'une isolation de remplissage d'espace de nanofils au moyen d'un liquide de verre de revêtement par centrifugation (4), et la mise en œuvre d'une injection électrique; la mise en œuvre d'une interconnexion de réseau de nanofils au moyen d'un dépôt en phase vapeur d'une couche conductrice transparente (5) pour étendre le courant; et disposer une électrode ohmique de type P (3) sur la couche de film mince de GaN de type P (2) et disposer une électrode ohmique de type N (6) sur la couche conductrice transparente (5) pour ainsi fabriquer le détecteur d'ultraviolets à réseau de nanofils. Le présent procédé présente les avantages d'être à faible coût, d'avoir une sensibilité élevée, une performance stable, et un procédé de fabrication simple, et d'être facile à utiliser pendant un travail pratique. Le détecteur d'ultraviolets et son procédé de fabrication peuvent être largement utilisés dans le domaine technique de la détection des ultraviolets.
(ZH)提供一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法。该探测器包括衬底(1)和P型GaN薄膜层(2),P型GaN薄膜层(2)设置在衬底(1)的上表面,P型GaN薄膜层(2)上生长有N型GaN纳米线阵列,N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳米线(7)与P型GaN薄膜层(2)之间形成有同质PN结。该方法包括通过旋涂玻璃液(4)实现纳米线间隙填充绝缘,实现电注入;蒸镀透明导电层(5)来扩展电流,实现纳米线阵列互联;并在P型GaN薄膜层(2)上设有P型欧姆电极(3),在透明导电层(5)上设有N型欧姆电极(6),制成纳米线阵列紫外探测器。该方法具有成本低、灵敏度高、性能稳定、制作方法简单、便于在实际工作中操作等优点。紫外探测器及其制作方法可广泛应用于紫外探测技术领域中。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)