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1. (WO2018081809) SOLUTIONS SOLIDES DE PÉROVSKITE MONOCRISTALLINE AYANT DES POINTS INDIFFÉRENTS POUR LA CROISSANCE ÉPITAXIALE DE MONOCRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/081809 N° de la demande internationale : PCT/US2017/059341
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 31.10.2017
CIB :
C30B 3/00 (2006.01) ,C30B 15/14 (2006.01) ,C30B 1/00 (2006.01)
Déposants : QUEST INTEGRATED, LLC[US/US]; 19823 58th Place South Suite 200 Kent, Washington 98032, US
Inventeurs : FRATELLO, Vincent; US
Mandataire : LAUGHLIN, Andrew L.; US
LAWSON, Llewellyn Rhys; US
Données relatives à la priorité :
62/415,34131.10.2016US
Titre (EN) SINGLE-CRYSTAL PEROVSKITE SOLID SOLUTIONS WITH INDIFFERENT POINTS FOR EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTALS
(FR) SOLUTIONS SOLIDES DE PÉROVSKITE MONOCRISTALLINE AYANT DES POINTS INDIFFÉRENTS POUR LA CROISSANCE ÉPITAXIALE DE MONOCRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN) Growth of single crystal epitaxial films of the perovskite crystal structure by liquid- or vapor-phase means can be accomplished by providing single-crystal perovskite substrate materials of improved lattice parameter match in the lattice parameter range of interest. Current substrates do not provide as good a lattice match, have inferior properties, or are of limited size and availability because cost of materials and difficulty of growth. This problem is solved by the single-crystal perovskite solid solutions described herein grown from mixtures with an indifferent melting point that occurs at a congruently melting composition at a temperature minimum in the melting curve in the pseudo-binary molar phase diagram. Accordingly, single-crystal perovskite solid solutions, structures, and devices including single-crystal perovskite solid solutions, and methods of making single-crystal perovskite solid solutions are described herein.
(FR) La croissance de films épitaxiaux monocristallins ayant la structure de cristaux de pérovskite par des moyens en phase liquide ou en phase vapeur peut être réalisée en fournissant des matériaux substrats de pérovskite monocristalline présentant une correspondance de paramètres de réseau améliorée dans la plage de paramètres de réseau d'intérêt. Les substrats actuels ne fournissent pas de bonne correspondance de réseau, ont des propriétés inférieures, ou ont une taille et une disponibilité limitées en raison du coût des matériaux et de la difficulté de croissance. Ce problème est résolu par les solutions solides de pérovskite monocristalline décrites dans la description à partir de mélanges ayant un point de fusion indifférent qui apparaît au niveau d'une composition à fusion congruente à un minimum de température dans la courbe de fusion dans le diagramme de phase molaire pseudo-binaire. Par conséquent, l'invention concerne des solutions solides de pérovskite monocristalline, des structures et des dispositifs comprenant des solutions solides de pérovskite monocristalline, et des procédés de fabrication de solutions solides de pérovskite monocristalline.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)