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1. (WO2018081746) APPLICATION DE SÉLECTION DE PUCE POUR IDENTIFICATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET COMMANDE DE GESTION DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/081746 N° de la demande internationale : PCT/US2017/059102
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 30.10.2017
CIB :
G11C 11/4096 (2006.01) ,G11C 11/4074 (2006.01) ,G11C 7/10 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
409
Circuits de lecture-écriture (R-W)
4096
Circuits de commande ou de gestion d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits pour la lecture ou l'écriture, circuits d'attaque d'entrée/sortie, commutateurs de lignes de bits
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
4074
Circuits d'alimentation ou de génération de tension, p.ex. générateurs de tension de polarisation, générateurs de tension de substrat, alimentation de secours, circuits de commande d'alimentation
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10
Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; Intel Corporation 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
COX, Christopher E.; US
BAINS, Kuljit; US
MOZAK, Christopher P.; US
MCCALL, James A.; US
VASANTH, Akshith; US
NALE, Bill; US
Mandataire :
ANDERSON, Vincent; US
ALDOUS, Alan; US
HODGE, Julia; US
Données relatives à la priorité :
62/415,44331.10.2016US
Titre (EN) APPLYING CHIP SELECT FOR MEMORY DEVICE IDENTIFICATION AND POWER MANAGEMENT CONTROL
(FR) APPLICATION DE SÉLECTION DE PUCE POUR IDENTIFICATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET COMMANDE DE GESTION DE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) A memory subsystem triggers entry and exit of a memory device from low power mode with a chip select (CS) signal line. For a system where the command bus has no clock enable (CKE) signal line, the system can trigger low power modes with CS instead of CKE. The low power mode can include a powerdown state. The low power mode can include a self-refresh state. The memory device includes an interface to the command bus, and receives a CS signal combined with command encoding on the command bus to trigger a low power mode state change. The memory device can be configured to monitor the CS signal and selected other command signals while in low power mode. The system can send an ODT trigger while the memory device is in low power mode, even without a dedicated ODT signal line.
(FR) L'invention concerne un sous-système de mémoire qui déclenche l'entrée et la sortie d'un dispositif de mémoire à partir d'un mode de faible puissance avec une ligne de signal de sélection de puce (CS). Pour un système dans lequel le bus de commande n'a pas de ligne de signal d'activation d'horloge (CKE), le système peut déclencher des modes de faible puissance avec CS au lieu de CKE. Le mode de faible puissance peut comprendre un état de mise sous tension. Le mode de faible puissance peut comprendre un état d'auto-rafraîchissement. Le dispositif de mémoire comprend une interface avec le bus de commande, et reçoit un signal CS combiné à un codage de commande sur le bus de commande pour déclencher un changement d'état de mode de faible puissance. Le dispositif de mémoire peut être configuré pour surveiller le signal CS et d'autres signaux de commande sélectionnés tout en étant en mode faible puissance. Le système peut envoyer un déclencheur ODT tandis que le dispositif de mémoire est en mode basse puissance, même sans ligne de signal ODT dédiée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)