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1. (WO2018081602) PROCÉDÉ, SYSTÈME ET APPAREIL DE SUPPRESSION DE MODE D'ORDRE SUPÉRIEUR
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N° de publication : WO/2018/081602 N° de la demande internationale : PCT/US2017/058819
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 27.10.2017
CIB :
H01S 5/20 (2006.01) ,H01S 5/10 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/028 (2006.01)
Déposants : NLIGHT, INC.[US/US]; 5408 NE 88th Street Building E Vancouver, Washington 98665, US
Inventeurs : KANSKAR, Manoj; US
CHEN, Zhigang; US
Mandataire : CRAIG, Michelle; US
Données relatives à la priorité :
62/414,37728.10.2016US
Titre (EN) METHOD, SYSTEM AND APPARATUS FOR HIGHER ORDER MODE SUPPRESSION
(FR) PROCÉDÉ, SYSTÈME ET APPAREIL DE SUPPRESSION DE MODE D'ORDRE SUPÉRIEUR
Abrégé : front page image
(EN) A laser diode vertical epitaxial structure, comprising a transverse waveguide comprising an active layer between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer wherein the transverse waveguide is bounded by a lower index n-cladding layer on an n-side of the transverse waveguide and a lower index p-cladding layer on a p-side of the transverse waveguide, a lateral waveguide that is orthogonal to the transverse waveguide, wherein the lateral waveguide is bounded in a longitudinal direction at a first end by a facet coated with a high reflector (HR) coating and at a second end by a facet coated with a partial reflector (PR) coating and a higher order mode suppression layer (HOMSL) disposed adjacent to at least one lateral side of the lateral waveguide and that extends in a longitudinal direction.
(FR) L'invention concerne une structure épitaxiale verticale de diode laser, comprenant un guide d'ondes transversal comprenant une couche active entre une couche semi-conductrice de type n et une couche semi-conductrice de type p, le guide d'ondes transversal étant délimité par une couche de gainage de type n d'indice inférieur sur un côté de type n du guide d'ondes transversal et une couche de gainage de type p d'indice inférieur sur un côté de type p du guide d'ondes transversal, un guide d'ondes latéral qui est orthogonal au guide d'ondes transversal, le guide d'ondes latéral étant délimité dans une direction longitudinale au niveau d'une première extrémité par une facette revêtue d'un revêtement à réflecteur élevé (HR) et au niveau d'une seconde extrémité par une facette revêtue d'un revêtement à réflecteur partiel (PR) et une couche de suppression de mode d'ordre supérieur (HOMSL) disposée adjacente à au moins un côté latéral du guide d'ondes latéral et qui s'étend dans une direction longitudinale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)