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1. (WO2018081293) STRUCTURES ET PROCÉDÉS DE LIAISON À BASSE TEMPÉRATURE
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N° de publication :    WO/2018/081293    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/058327
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2017
CIB :
H01L 23/00 (2006.01)
Déposants : INVENSAS CORPORATION [US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : UZOH, Cyprian, Emeka; (US)
Mandataire : LATTIN, Christopher W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/336,192 27.10.2016 US
Titre (EN) STRUCTURES AND METHODS FOR LOW TEMPERATURE BONDING
(FR) STRUCTURES ET PROCÉDÉS DE LIAISON À BASSE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of making an assembly can include juxtaposing a top surface of a first electrically conductive element at a first surface of a first substrate with a top surface of a second electrically conductive element at a major surface of a second substrate. One of: the top surface of the first conductive element can be recessed below the first surface, or the top surface of the second conductive element can be recessed below the major surface. Electrically conductive nanoparticles can be disposed between the top surfaces of the first and second conductive elements. The conductive nanoparticles can have long dimensions smaller than 100 nanometers. The method can also include elevating a temperature at least at interfaces of the juxtaposed first and second conductive elements to a joining temperature at which the conductive nanoparticles can cause metallurgical joints to form between the juxtaposed first and second conductive elements.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un ensemble qui peut comprendre la juxtaposition d'une surface supérieure d'un premier élément électroconducteur au niveau d'une première surface d'un premier substrat avec une surface supérieure d'un second élément électroconducteur au niveau d'une surface principale d'un second substrat. L'un des éléments suivants : la surface supérieure du premier élément conducteur peut être renfoncée en-dessous de la première surface, ou la surface supérieure du second élément conducteur peut être renfoncée en-dessous de la surface principale. Des nanoparticules électroconductrices peuvent être disposées entre les surfaces supérieures des premier et second éléments conducteurs. Les nanoparticules conductrices peuvent avoir des dimensions longues inférieures à 100 nanomètres. Le procédé peut également consister à élever une température au moins aux interfaces des premier et second éléments conducteurs juxtaposés jusqu'à une température de jonction à laquelle les nanoparticules conductrices peuvent provoquer la formation de joints métallurgiques entre les premier et second éléments conducteurs juxtaposés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)