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1. (WO2018080860) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ROUGE À BASE DE NITRURE D'INDIUM ET DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/080860 N° de la demande internationale : PCT/US2017/057099
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 18.10.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
16
ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
Déposants : SCHNEIDER, Richard P. Jr.[US/US]; US
REN, Fan[CN/US]; US
GARDNER, Nathan[US/US]; US
GLO AB[SE/SE]; SE
Inventeurs : SCHNEIDER, Richard P. Jr.; US
REN, Fan; US
GARDNER, Nathan; US
DANESH, Fariba; US
JANSEN, Michael; US
Mandataire : RADOMSKY, Leon; US
COHN, Joanna; US
CONNOR, David; US
GAYOSO, Tony; US
GEMMEL, Elizabeth; US
GILL, Matthew; US
GREGORY, Shaun D.; US
GUNNELS, Zarema; US
HANSEN, Robert; US
HUANG, Stephen; US
HYAMS, David; US
JOHNSON, Timothy; US
MAZAHERY, Benjamin; US
MURPHY, Timothy; US
NGUYEN, Jaqueline; US
O'BRIEN, Michelle; US
PARK, Byeongju; US
RUTT, Steven; US
SIMON, Phyllis; US
SULSKY, Martin; US
Données relatives à la priorité :
62/412,06524.10.2016US
62/474,78522.03.2017US
Titre (EN) INDIUM GALLIUM NITRIDE RED LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ROUGE À BASE DE NITRURE D'INDIUM ET DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A red-light emitting diode includes an n-doped portion, a p-doped portion, and a light emitting region located between the n-doped portion and a p-doped portion. The light emitting region includes a light-emitting indium gallium nitride layer emitting light at a peak wavelength between 600 and 750 nm under electrical bias thereacross, an aluminum gallium nitride layer located on the light-emitting indium gallium nitride layer. and a GaN barrier layer located on the aluminum gallium nitride layer.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente rouge comprenant une partie dopée n, une partie dopée p, et une région électroluminescente située entre la partie dopée n et une partie dopée p. La région électroluminescente comprend une couche électroluminescente à base de nitrure d'indium et de gallium émettant de la lumière à une longueur d'onde de crête comprise entre 600 et 750 nm sous polarisation électrique à travers celle-ci, une couche de nitrure d'aluminium et de gallium située sur la couche électroluminescente à base de nitrure d'indium et de gallium. Et une couche barrière de GaN située sur la couche de nitrure d'aluminium et de gallium.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)