Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018080772) SUBSTRAT DE SILICIUM SUR ISOLANT À HAUTE RÉSISTIVITÉ AYANT UNE EFFICACITÉ DE PIÉGEAGE DE CHARGE AMÉLIORÉE

Pub. No.:    WO/2018/080772    International Application No.:    PCT/US2017/055722
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Oct 10 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/762
H01L 21/02
Applicants: SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED
Inventors: WANG, Gang
LIBBERT, Jeffrey L.
THOMAS, Shawn George
LIU, Qingmin
Title: SUBSTRAT DE SILICIUM SUR ISOLANT À HAUTE RÉSISTIVITÉ AYANT UNE EFFICACITÉ DE PIÉGEAGE DE CHARGE AMÉLIORÉE
Abstract:
L'invention concerne une structure semi-conductrice multicouche sur isolant dans laquelle le substrat de manipulation et une couche épitaxiale en contact interfacial avec le substrat de manipulation comprennent des dopants électriquement actifs de type opposé. La couche épitaxiale est appauvrie par les supports libres du substrat de manipulation, ce qui permet d'obtenir une résistivité apparente élevée, ce qui améliore la fonction de la structure dans des dispositifs RF.