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1. (WO2018080713) SUIVI D'ENVELOPPE BASÉ SUR UN SUIVEUR DE SOURCE DESTINÉ À UNE POLARISATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/080713 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053827
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 27.09.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 24.08.2018
CIB :
H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 1/32 (2006.01) ,H03F 3/189 (2006.01) ,H03F 3/193 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02
Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
32
Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
193
comportant des dispositifs à effet de champ
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
CHEN, Jiang; US
GOLDBLATT, Jeremy; US
CABANILLAS, Jose; US
Mandataire :
LENKIN, Alan M.; US
LUTZ, Joseph; US
PARTOW-NAVID, Puya; US
FASHU-KANU, Alvin V.; US
Données relatives à la priorité :
15/583,89001.05.2017US
62/414,27828.10.2016US
Titre (EN) SOURCE FOLLOWER BASED ENVELOPE TRACKING FOR POWER AMPLIFIER BIASING
(FR) SUIVI D'ENVELOPPE BASÉ SUR UN SUIVEUR DE SOURCE DESTINÉ À UNE POLARISATION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) A power amplifier bias circuit with embedded envelope detection includes a bias circuit stage coupled to an envelope detector circuit to increases a bias provided to a power amplifier as a function of an incoming envelope signal. The envelope detector circuit includes a first source/emitter follower transistor, a current source, and a filter to generate a baseband envelope signal. The current source is coupled to an output node of the first source/emitter follower transistor and the filter is also coupled to the output node of the first source/emitter follower transistor. The bias circuit stage includes one or more replica transistors that replicate transistors of the power amplifier or power amplifier core stage, an envelope detector replica transistor and a replica of the current source of the envelope detector circuit.
(FR) La présente invention concerne un circuit de polarisation d'amplificateur de puissance doté d'une détection d'enveloppe intégrée qui comprend un étage de circuit de polarisation couplé à un circuit de détecteur d'enveloppe afin d'augmenter une polarisation fournie à un amplificateur de puissance en fonction d'un signal d'enveloppe entrant. Le circuit détecteur d'enveloppe comprend un premier transistor suiveur de source/émetteur, une source de courant et un filtre afin de générer un signal d'enveloppe de bande de base. La source de courant est couplée à un nœud de sortie du premier transistor suiveur de source/émetteur et le filtre est également couplé au nœud de sortie du premier transistor suiveur de source/émetteur. L'étage de circuit de polarisation comprend au moins un transistor factice qui imite le comportement des transistors de l'étage de cœur d'amplificateur de puissance ou d'amplificateur de puissance, un transistor factice de détecteur d'enveloppe et une réplique de la source de courant du circuit de détecteur d'enveloppe.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)