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1. (WO2018080687) POMPE À CHARGE DIFFÉRENTIELLE À PLAGE DE TENSION DE COMMANDE À SORTIE ÉTENDUE
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N° de publication : WO/2018/080687 N° de la demande internationale : PCT/US2017/053269
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 25.09.2017
CIB :
H03L 7/089 (2006.01) ,H03L 7/093 (2006.01)
[IPC code unknown for H03L 7/089][IPC code unknown for H03L 7/093]
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
BANERJEE, Anirban; US
RASMUS, Todd Morgan; US
Mandataire :
WORLEY, Eugene; US
Données relatives à la priorité :
15/334,95826.10.2016US
Titre (EN) A DIFFERENTIAL CHARGE PUMP WITH EXTENDED OUTPUT CONTROL VOLTAGE RANGE
(FR) POMPE À CHARGE DIFFÉRENTIELLE À PLAGE DE TENSION DE COMMANDE À SORTIE ÉTENDUE
Abrégé :
(EN) One aspect of the present disclosure relates to a method for operating a charge pump. The method includes comparing a drain voltage of a current sink transistor of the charge pump with a drain voltage of a current reference transistor, and adjusting a gate bias voltage of the current sink transistor and the current reference transistor in a direction that reduces a difference between the drain voltage of the current sink transistor and the drain voltage of the current reference transistor. The method also includes comparing a common-mode voltage of a loop filter with a reference voltage, and adjusting a gate bias voltage of a current source transistor of the charge pump in a direction that reduces a difference between the common-mode voltage of the loop filter and the reference voltage.
(FR) Un aspect de la présente invention concerne un procédé pour actionner une pompe de charge. Le procédé consiste à comparer une tension de drain d'un transistor de puits de courant de la pompe de charge avec une tension de drain d'un transistor de référence de courant, et régler une tension de polarisation de grille du transistor de puits de courant et du transistor de référence de courant dans une direction qui réduit une différence entre la tension de drain du transistor de puits de courant et la tension de drain du transistor de référence de courant. Le procédé comprend les étapes consistant également à comparer une tension de mode commun d'un filtre à boucle avec une tension de référence, et à régler une tension de polarisation de grille d'un transistor de source de courant de la pompe de charge dans une direction qui réduit une différence entre la tension de mode commun du filtre à boucle et la tension de référence.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)