Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018080300) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE DE NITRURE DE GALLIUM (GAN) NON POLAIRE SUR UN SUBSTRAT DE SAPHIR À PLAN R
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/080300 N° de la demande internationale : PCT/MY2017/050066
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 27.10.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
UNIVERSITI MALAYA [MY/MY]; Universiti Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Wilayah Persekutuan Kuala Lumpur, MY
Inventeurs :
BIN ABU BAKAR, Ahmad Shuhaimi; MY
BIN AZMAN SHAH, Mohd Adreen Shah; MY
AL-ZUHAIRI, Omar Ayad Fadhil; MY
BIN KAMARUNDZAMAN, Anas; MY
Mandataire :
LOK, Choon Hong; MY
Données relatives à la priorité :
PI 201670399931.10.2016MY
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE (GAN) THIN FILM ON AN R-PLANE SAPPHIRE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM MINCE DE NITRURE DE GALLIUM (GAN) NON POLAIRE SUR UN SUBSTRAT DE SAPHIR À PLAN R
Abrégé :
(EN) A method for producing a non-polar a-plane gallium nitride (GaN) thin film on an r-plane sapphire substrate using metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) technique, the method comprising the steps of: annealing the r-plane sapphire substrate using a hydrogen cleaning process; depositing a GaN nucleation layer in the presence of vaporized sources of gallium and nitrogen on the substrate; depositing and growing a GaN buffer layer atop the nucleation layer; and laterally growing a GaN overgrowth layer atop the buffer layer, wherein the step of depositing and growing of the layers are conducted under a standardized volumetric flow rate of the nitrogen source within a range of 0.5 to 2.1 slm. Particularly, the method also comprises controlling V/III ratio, reaction temperature and flow rate of reactants during growth of GaN layers. It was found that such method could result in reduced lattice mismatch between each layer.
(FR) L'invention concerne un procédé de production de film mince de nitrure de gallium (GaN) non polaire sur un substrat de saphir à plan r à l'aide d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), le procédé comprenant les étapes consistant : à recuire le substrat de saphir à plan r à l'aide d'un procédé de nettoyage à l'hydrogène ; à déposer une couche de nucléation de GaN en présence de sources vaporisées de gallium et d'azote sur le substrat ; à déposer et à faire croître une couche tampon de GaN au-dessus de la couche de nucléation ; et à faire croître de manière latérale une couche de surcroissance de GaN au-dessus de la couche tampon, l'étape de dépôt et de croissance des couches étant réalisée sous un débit volumétrique normalisé de la source d'azote dans une plage de 0,5 à 2,1 slm. En particulier, le procédé comprend également la régulation du rapport V/III, de la température de réaction et du débit de réactifs pendant la croissance de couches de GaN. Il a été découvert qu'un tel procédé pourrait conduire à un défaut d'adaptation de réseau réduit entre chaque couche.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)