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1. (WO2018080004) PROCÉDÉ DE RÉPARATION D'ENDOMMAGEMENT D'UN FILM ISOLANT DE GRILLE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, À L'AIDE D'UN COURANT DE POLARISATION DIRECTE

Pub. No.:    WO/2018/080004    International Application No.:    PCT/KR2017/009588
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Sep 02 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/66
H01L 27/02
H01L 29/423
H01L 29/78
Applicants: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
한국과학기술원
Inventors: CHOI, Yang-Kyu
최양규
LEE, Geon Beom
이건범
PAKR, Jun-Young
박준영
BAE, Hakyoul
배학열
KIM, Choongki
김충기
Title: PROCÉDÉ DE RÉPARATION D'ENDOMMAGEMENT D'UN FILM ISOLANT DE GRILLE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, À L'AIDE D'UN COURANT DE POLARISATION DIRECTE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de réparation d'un endommagement d'un film isolant de grille d'un transistor à effet de champ, à l'aide d'un courant de polarisation directe. Dans le procédé de réparation d'un endommagement d'un film isolant de grille, un premier effet joule produit par un premier courant de polarisation directe s'étant produit par application d'une première tension de polarisation directe entre une zone de source et un corps d'un substrat peut être utilisé, ou un seconde effet joule produit par un second courant de polarisation directe s'étant produit par application d'une seconde tension de polarisation directe entre une zone de drain et le corps du substrat peut être utilisée, de manière à réparer les dommages survenus dans le film isolant de grille dans le transistor à effet de champ qui comprend le substrat, la zone de source et la zone de drain formées sur le substrat, une zone de canal formée sur le substrat pour relier la zone de source et la zone de drain, le film isolant de grille formé sur la zone de canal, et une structure de grille formée sur le film isolant de grille.