WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018079522) FILTRE À ONDES ACOUSTIQUES, DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, DUPLEXEUR ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/079522    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/038282
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 24.10.2017
CIB :
H03H 9/64 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/72 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventeurs : ITO, Motoki; (JP)
Mandataire : IIJIMA, YASUHIRO; Sohshin International Patent Office, SS building 2F, 4-2, Nishi-Shinbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-211840 28.10.2016 JP
2016-243165 15.12.2016 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE FILTER, ACOUSTIC WAVE DEVICE, DUPLEXER, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) FILTRE À ONDES ACOUSTIQUES, DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, DUPLEXEUR ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波フィルタ、弾性波デバイス、分波器および通信装置
Abrégé : front page image
(EN)A SAW filter comprises a piezoelectric substrate, a series arm, and a parallel resonance portion. The series arm includes one or more series resonance portions positioned on the piezoelectric substrate. The parallel resonance portion is positioned on the piezoelectric substrate, and constitutes a ladder-type filter with the series arm. The parallel resonance portion includes a parallel resonator and a capacitive element. The parallel resonator includes an IDT electrode positioned on the piezoelectric substrate, and a pair of reflectors positioned on either side of the IDT electrode. The capacitive element is connected in parallel with the parallel resonator. The capacitance of the capacitive element is not less than 0.8 times the capacitance of the IDT electrode of the parallel resonator. The difference between the antiresonance frequency and the resonance frequency of the parallel resonance portion is smaller than the difference between the antiresonance frequency and the resonance frequency of the parallel resonator.
(FR)L'invention concerne un filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) qui comprend un substrat piézoélectrique, une branche série et une partie de résonance parallèle. La branche série comprend une ou plusieurs parties de résonance en série positionnées sur le substrat piézoélectrique. La partie de résonance parallèle est positionnée sur le substrat piézoélectrique, et constitue un filtre de type échelle avec la branche série. La partie de résonance parallèle comprend un résonateur parallèle et un élément capacitif. Le résonateur parallèle comprend une électrode IDT positionnée sur le substrat piézoélectrique et une paire de réflecteurs positionnés de chaque côté de l'électrode IDT. L'élément capacitif est relié en parallèle au résonateur parallèle. La capacité de l'élément capacitif n'est pas inférieure à 0,8 fois la capacité de l'électrode IDT du résonateur parallèle. La différence entre la fréquence d'antirésonance et la fréquence de résonance de la partie de résonance parallèle est inférieure à la différence entre la fréquence d'antirésonance et la fréquence de résonance du résonateur parallèle.
(JA)SAWフィルタは、圧電基板と、直列腕と、並列共振部とを有している。直列腕は、圧電基板上に位置している1以上の直列共振部を含んでいる。並列共振部は、圧電基板上に位置しており、直列腕とラダー型フィルタを構成している。並列共振部は、並列共振子と、容量素子とを有している。並列共振子は、圧電基板上に位置しているIDT電極、およびその両側に位置している1対の反射器を含んでいる。容量素子は、並列共振子と並列接続されている。容量素子の容量は、並列共振子のIDT電極の容量の0.8倍以上である。並列共振部の反共振周波数と共振周波数との差は並列共振子の反共振周波数と共振周波数との差よりも小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)