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1. (WO2018079479) SUBSTRAT MULTICOUCHE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/079479 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/038169
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 23.10.2017
CIB :
H05K 3/46 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H05K 1/11 (2006.01) ,H05K 3/40 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs : YOSUI Kuniaki; JP
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
Données relatives à la priorité :
2016-21094127.10.2016JP
Titre (EN) MULTILAYER SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT MULTICOUCHE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 多層基板およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) This multilayer substrate (1) is provided with: a first base material (12) having insulating properties; a first interlayer connection conductor (42) formed in the first base material (12); a second base material (13) having insulating properties and contacting the first base material (12); a second interlayer connection conductor (43) formed in the second base material (13) and contacting the first interlayer connection conductor; and an insulation layer (21). The insulation layer (21) is composed of an insulation sheet (20) in which a conductive pattern is not formed, the insulation sheet (20) has an opening (H) that surrounds an interface between the first interlayer connection conductor (42) and the second interlayer connection conductor (43), and the first interlayer connection conductor (42) contacts the second interlayer connection conductor (43) through the opening (H).
(FR) L'invention concerne un substrat multicouche (1) pourvu : d'un premier matériau de base (12) ayant des propriétés isolantes ; d'un premier conducteur de connexion intercouche (42) formé dans le premier matériau de base (12) ; d'un second matériau de base (13) ayant des propriétés isolantes et en contact avec le premier matériau de base (12) ; d'un second conducteur de connexion intercouche (43) formé dans le second matériau de base (13) et en contact avec le premier conducteur de connexion intercouche ; et d'une couche d'isolation (21). La couche d'isolation (21) est composée d'une feuille d'isolation (20) dans laquelle aucun motif conducteur n'est formé, la feuille d'isolation (20) comporte une ouverture (H) qui entoure une interface entre le premier conducteur de connexion intercouche (42) et le second conducteur de connexion intercouche (43), et le premier conducteur de connexion intercouche (42) contacte le second conducteur de connexion intercouche (43) par l'intermédiaire de l'ouverture (H).
(JA) 多層基板(1)は、絶縁性の第1基材(12)と、第1基材(12)に形成された第1層間接続導体(42)と、第1基材(12)に接する絶縁性の第2基材(13)と、第2基材(13)に形成され、第1層間接続導体に接合する第2層間接続導体(43)と、絶縁層(21)を備える。絶縁層(21)は、導体パターンが形成されない絶縁シート(20)で構成され、絶縁シート(20)には、第1層間接続導体(42)と第2層間接続導体(43)との接合面を囲む開口(H)が形成され、第1層間接続導体(42)と第2層間接続導体(43)とは、開口(H)を介して接合する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)