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1. (WO2018079396) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/079396 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/037803
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 19.10.2017
CIB :
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
多田 晴菜 TADA, Haruna; JP
中島 泰 NAKAJIMA, Dai; JP
三田 泰之 SANDA, Yasuyuki; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-21289231.10.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé :
(EN) In a semiconductor device (101), a heat dissipating member (200) is connected to a power module (100). A plurality of recessed portions or a plurality of protruding portions are formed in a metal component (4), and the other of the plurality of recessed portions or the plurality of protruding portions are formed in the heat dissipating member (200). The metal component (4) and the heat dissipating member (200) are integrated with each other at a plurality of protruding-recessed portions where the plurality of recessed portions and the plurality of protruding portions are in contact with each other. First protruding-recessed portions (C1, V1) which are some of the plurality of protruding-recessed portions each have a dimension, in the height direction, greater than that of a second protruding-recessed portion (C2, V2) which is the rest of the plurality of protruding-recessed portions other than the first protruding-recessed portions (C1, V1). Wall surfaces of the first protruding-recessed portions (C1, V1) include: a first wall surface part that has a first inclination angle with respect to the height direction; and a second wall surface part that has a second inclination angle different from the first inclination angle.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (101) dans lequel, un élément de dissipation de chaleur (200) est connecté à un module de puissance (100). Une pluralité de portions évidées ou une pluralité de portions en saillie sont formées dans un composant métallique (4), et l'autre portion parmi la pluralité de portions évidées ou la pluralité de portions en saillie sont formées dans l'élément de dissipation de chaleur (200). Le composant métallique (4) et l'élément de dissipation de chaleur (200) sont intégrés l'un à l'autre au niveau d'une pluralité de portions en saillie-évidées où la pluralité de portions évidées et la pluralité de portions en saillie sont en contact l'une avec l'autre. Des premières portions en saillie-évidées (C1, V1) qui sont certaines de la pluralité de portions en saillie-évidées ont chacune une dimension, dans la direction de la hauteur, supérieure à celle d'une seconde portion en saillie-évidée (C2, V2) qui est le reste de la pluralité de portions en saillie-évidées autres que les premières portions en saillie-évidées (C15, V1). Des surfaces de paroi des premières portions en saillie-évidées (C1, V1) comprennent : une première partie de surface de paroi qui a un premier angle d'inclinaison par rapport à la direction de hauteur; et une seconde partie de surface de paroi qui a un second angle d'inclinaison différent du premier angle d'inclinaison.
(JA) 半導体装置(101)において、放熱部材(200)はパワーモジュール(100)に接続される。金属部品(4)には複数の凹部または凸部のいずれか一方が、放熱部材(200)には複数の凹部または凸部のいずれか他方が形成されている。金属部品(4)と放熱部材(200)とは、複数の凹部と複数の凸部とが接触する複数の凹凸部において一体となっている。複数の凹凸部の一部である第1の凹凸部(C1,V1)は、複数の凹凸部のうち第1の凹凸部(C1,V1)以外の第2の凹凸部(C2,V2)よりも、高さ方向の寸法が大きい。第1の凹凸部(C1,V1)の壁面は、高さ方向に対する第1の傾斜角度を有する第1の壁面部分と、第1の傾斜角度とは異なる第2の傾斜角度を有する第2の壁面部分とを含む。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)