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1. (WO2018079284) FILTRE EN ÉCHELLE, DUPLEXEUR ET FILTRE À ONDES ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/079284 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/037018
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 12.10.2017
CIB :
H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs : TAKATA, Toshiaki; JP
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2016-21197528.10.2016JP
Titre (EN) LADDER TYPE FILTER, DUPLEXER, AND ELASTIC WAVE FILTER APPARATUS
(FR) FILTRE EN ÉCHELLE, DUPLEXEUR ET FILTRE À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) ラダー型フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタ装置
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a ladder type filter capable of improving steepness and sufficiently increasing out-band attenuation without causing degradation of electric power resistance. This ladder type filter is provided with: a plurality of series arm resonators each of which have an IDT electrode and a reflector; and a parallel arm resonator. In at least one of the series arm resonators, when the wavelength defined by the electrode finger pitch of the IDT electrode is represented by λ, the electrode finger center-to-center distance (IDT electrode-reflector gap G1) between an electrode finger (second electrode finger 6b2) located on the side closest to the reflector among a plurality of electrode fingers of an IDT electrode 6, and an electrode finger 7b2 located on the side closest to the IDT electrode 6 among a plurality of electrode fingers of a reflector 7b is less than 0.5 λ, and the anti-resonance frequency of the at least one of the series arm resonators is higher than the anti-resonance frequency of another at least one of the plurality of series arm resonators.
(FR) L'invention concerne un filtre en échelle pouvant améliorer la raideur de pente et augmenter suffisamment l'atténuation hors bande sans provoquer de dégradation de la résistance électrique. Ce filtre en échelle comprend une pluralité de résonateurs à résistances en série dont chacun possède une électrode de transducteur interdigité (IDT) et un réflecteur; et un résonateur à résistances parallèles. Dans au moins l'un des résonateurs à résistances en série, lorsque la longueur d'onde définie par le pas de doigt de l'électrode IDT est représentée par lambda, la distance centre à centre de doigt d'électrode (intervalle réflecteur - électrode IDT G1) entre un doigt d'électrode (second doigt d'électrode 6b2) situé sur le côté le plus proche du réflecteur parmi une pluralité de doigts d'une électrode IDT (6), et un doigt d'électrode (7b2) situé sur le côté le plus proche de l'électrode IDT (6) parmi une pluralité de doigts d'électrode d'un réflecteur (7b), est inférieure à 0,5 lambda, et la fréquence d'anti-résonance dudit au moins un des résonateurs à résistances en série est supérieure à la fréquence d'anti-résonance d'au moins un autre résonateur de la pluralité de résonateurs à résistances en série.
(JA) 耐電力性の劣化を招くことなく、急峻性を良好とすることができ、かつ帯域外減衰量を十分に大きくすることができる、ラダー型フィルタを提供する。 本発明に係るラダー型フィルタは、IDT電極と、反射器とをそれぞれ有する複数の直列腕共振子と、並列腕共振子とを備える。少なくとも1つの直列腕共振子において、IDT電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、IDT電極6の複数の電極指のうち最も反射器側に位置する電極指(第2の電極指6b2)と、反射器7bの複数の電極指のうち最もIDT電極6側に位置する電極指7b2との電極指中心間距離(IDT電極-反射器ギャップG1)が0.5λ未満であり、上記少なくとも1つの直列腕共振子の反共振周波数が、他の少なくとも1つの複数の直列腕共振子の反共振周波数より高い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)