WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018079222) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ET TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/079222    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/036313
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 05.10.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 7/04 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : TANAKA Toshiyuki; (JP).
MATAGAWA Satoshi; (JP)
Mandataire : KINOSHITA & ASSOCIATES; 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-212775 31.10.2016 JP
Titre (EN) WAFER MANUFACTURING METHOD AND WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ET TRANCHE
(JA) ウェーハの製造方法およびウェーハ
Abrégé : front page image
(EN)This wafer manufacturing method includes: a chamfering step for chamfering a wrapped wafer or a wafer cut out from a single crystal ingot; a resin layer forming step for forming a resin layer by applying a curable resin on one surface of the chamfered wafer; a first flat surface grinding step for grinding flat the other surface of the wafer by holding said one surface via the resin layer; a resin layer removing step for removing the resin layer; and a second flat surface grinding step for grinding flat said one surface by holding the other surface, wherein, in the resin layer forming step, the curable resin is applied so as to satisfy formula (1): Ra×V≥2×103, where Ra (nm) represents arithmetic average roughness of the chamfered part of the wafer, and V (mPa·s) represents viscosity of the curable resin when being applied.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de tranche comprenant : une étape de chanfreinage consistant à chanfreiner une tranche enveloppée ou une tranche découpée à partir d'un lingot monocristallin ; une étape de formation de couche de résine consistant à former une couche de résine par application d'une résine durcissable sur une surface de la tranche chanfreinée ; une première étape de rectification de surface consistant à rectifier l'autre surface de la tranche en maintenant ladite surface par le biais de la couche de résine ; une étape d'élimination de couche de résine consistant à éliminer la couche de résine ; et une seconde étape de rectification de surface consistant à rectifier ladite surface en maintenant l'autre surface. Selon l'invention, durant l'étape de formation de couche de résine, la résine durcissable est appliquée de façon à satisfaire la formule (1) : Ra × V ≥ 2 × 103, où Ra (nm) représente la rugosité moyenne arithmétique de la partie chanfreinée de la tranche, et où V (mPa · s) représente la viscosité de la résine durcissable lorsqu'elle est appliquée.
(JA)単結晶インゴットから切り出されたウェーハまたはラッピングされたウェーハの面取りを行う面取り工程と、面取り後のウェーハの一方の面に硬化性樹脂を塗布して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層を介して一方の面を保持し、ウェーハの他方の面を平面研削する第1の平面研削工程と、樹脂層を除去する樹脂層除去工程と、他方の面を保持し、一方の面を平面研削する第2の平面研削工程とを含み、樹脂層形成工程は、ウェーハの面取り部の算術平均粗さをRa(nm)、硬化性樹脂の塗布時の粘度をV(mPa・s)とした場合、以下の式(1)を満たすように硬化性樹脂を塗布する。 Ra×V≧2×10 …(1)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)