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1. (WO2018079112) GUIDE D'ONDES OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF OPTIQUE INTÉGRÉ
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N° de publication : WO/2018/079112 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/033042
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 13.09.2017
CIB :
G02B 6/122 (2006.01) ,G02F 1/025 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : HOKAMA Yohei; JP
AKIYAMA Koichi; JP
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; JP
ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21027727.10.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR OPTICAL WAVEGUIDE AND OPTICAL INTEGRATED DEVICE
(FR) GUIDE D'ONDES OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF OPTIQUE INTÉGRÉ
(JA) 半導体光導波路及び光集積素子
Abrégé : front page image
(EN) The purpose of the present invention is to provide a technique whereby an electric current can be efficiently injected into a core layer of an embedded-type waveguide. In the present invention, an embedded-type waveguide including a core layer, a cladding layer, and a current block layer is provided on one end side of a substrate, both sides of the core layer in a layering direction are sandwiched by cladding layers, and both sides of the core layer in a width direction perpendicular to the layering direction are sandwiched by current block layers. On the other end side of the substrate, a ridge-type waveguide including a core layer and a cladding layer is provided, and both sides of the core layer in the layering direction thereof are sandwiched by cladding layers.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir une technique moyennant quoi un courant électrique peut être efficacement injecté dans une couche centrale d'un guide d'ondes de type intégré. Dans la présente invention, un guide d'ondes de type intégré comprenant une couche centrale, une couche de gainage et une couche de bloc courant est disposé sur un côté d'extrémité d'un substrat, les deux côtés de la couche centrale dans une direction de stratification sont pris en sandwich par des couches de gainage, et les deux côtés de la couche centrale dans une direction de largeur perpendiculaire à la direction de stratification sont pris en sandwich par des couches de bloc courant. Sur l'autre côté d'extrémité du substrat, un guide d'ondes de type nervure comprenant une couche centrale et une couche de gainage est prévu, et les deux côtés de la couche centrale dans la direction de stratification correspondante sont pris en sandwich par des couches de gainage.
(JA) 埋め込み型導波路のコア層に電流を効率的に注入可能な技術を提供することを目的とする。基板の一端側において、コア層、クラッド層及び電流ブロック層を含む埋め込み型導波路が配設され、かつ、コア層の積層方向における両側がクラッド層によって挟まれ、コア層の積層方向と垂直である幅方向における両側が電流ブロック層によって挟まれる。基板の他端側において、コア層及びクラッド層を含むリッジ型導波路が配設され、かつ、コア層の積層方向における両側がクラッド層によって挟まれる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)