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1. (WO2018078976) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE

Pub. No.:    WO/2018/078976    International Application No.:    PCT/JP2017/026643
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jul 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/146
H01L 21/76
H01L 31/10
H04N 5/369
Applicants: SONY CORPORATION
ソニー株式会社
Inventors: NOUDO Shinichiro
納土 晋一朗
Title: ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Abstract:
Le but de la présente invention est de résoudre au moins l'un de divers problèmes dans un capteur d'image de type 2PD. L'invention concerne un élément de capture d'image à semiconducteur comprenant une pluralité de pixels formés sur un substrat de silicium et ayant chacun un élément de conversion photoélectrique. Une partie des pixels est configurée de telle sorte que les éléments de conversion photoélectrique de ceux-ci soient divisés par une région de séparation de premier type qui s'étend sous une forme de plaque dans une direction suivant la direction d'épaisseur du substrat de silicium, et une autre partie des pixels sont configurés de telle sorte que les éléments de conversion photoélectrique de ceux-ci soient divisés par une région de séparation de second type qui est formée d'un matériau différent de la région de séparation de premier type et qui s'étend sous une forme de plaque dans une direction suivant la direction d'épaisseur du substrat de silicium.