Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018078962) CRISTAUX SEMI-ISOLANTS, CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS DU TYPE n ET CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS DU TYPE p
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/078962 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/025552
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 13.07.2017
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C30B 25/16 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
[IPC code unknown for C30B 29/38][IPC code unknown for C23C 16/34][IPC code unknown for C30B 25/16][IPC code unknown for H01L 21/205]
Déposants :
株式会社サイオクス SCIOCS COMPANY LIMITED [JP/JP]; 茨城県日立市砂沢町880番地 880, Isagozawa-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 3191418, JP
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventeurs :
藤倉 序章 FUJIKURA Hajime; JP
Mandataire :
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
橘高 英郎 KITTAKA Hideo; JP
Données relatives à la priorité :
2016-21093927.10.2016JP
Titre (EN) SEMI-INSULATING CRYSTALS, n-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTALS, AND p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTALS
(FR) CRISTAUX SEMI-ISOLANTS, CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS DU TYPE n ET CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS DU TYPE p
(JA) 半絶縁性結晶、n型半導体結晶およびp型半導体結晶
Abrégé :
(EN) Provided are semi-insulating crystals represented by the compositional formula InxAlyGa1-x-yN (where 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1), wherein: the concentration of each of Si, B, and Fe in the crystals is less than 1 x 1015 at/cm3; and the electrical resistivity under temperature conditions of 20-200°C is 1 x 106Ωcm or higher.
(FR) L'invention concerne des cristaux semi-isolants représentés par la formule de composition InxAlyGa1-x-yN (dans laquelle 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1). La concentration de chacun de Si, B et Fe dans les cristaux est inférieure à 1 x 1015 at/cm3; et la résistivité électrique dans des conditions de température de 20-200 °C est supérieure ou égale à 1 x 106 Ω.cm.
(JA) InAlGa1-x-yNの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表される結晶であって、結晶中のSi、BおよびFeの各濃度がいずれも1×1015at/cm未満であり、20℃以上200℃以下の温度条件下での電気抵抗率が1×10Ωcm以上である半絶縁性結晶を提供する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)