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1. (WO2018078914) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GRILLE POUR COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/078914 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/014837
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 11.04.2017
CIB :
H02M 1/08 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/567 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : KONDO, Ryota; JP
ONDA, Kohei; JP
TAN, Yohei; JP
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-20769724.10.2016JP
Titre (EN) GATE DRIVE CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GRILLE POUR COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体スイッチのゲート駆動回路
Abrégé : front page image
(EN) When turning off a semiconductor switch, starting from a state in which a first switching element (Q1) is in a fixed ON-state, a drive signal generation circuit turns on a fourth switching element (Q4) for a predetermined first period to excite an inductor element and then turns off the first switching element (Q1) for a predetermined second period to discharge gate stored charge, turns on the first switching element (Q1) for a predetermined third period to interrupt discharging of the gate stored charge, turns off the first switching element (Q1) again for a predetermined fourth period, and then sets the fourth switching element (Q4) to a fixed OFF-state and a second switching element (Q2) to the fixed ON-state, thereby setting the semiconductor switch to the fixed OFF-state. The power consumption of a gate drive circuit is thus reduced.
(FR) Selon l'invention, lors de la mise hors-tension d'un commutateur à semi-conducteur, partant d'un état dans lequel un premier élément de commutation (Q1) est dans un état de marche fixe, un circuit de génération de signal d'attaque met sous tension un quatrième élément de commutation (Q4) pendant une première période prédéterminée afin d'exciter un élément inducteur, puis met hors tension le premier élément de commutation (Q1) pendant une deuxième période prédéterminée afin de décharger une charge de grille stockée, met sous tension le premier élément de commutation (Q1) pendant une troisième période prédéterminée afin d'interrompre la décharge de la charge de grille stockée, met à nouveau hors tension le premier élément de commutation (Q1) pendant une quatrième période prédéterminée, puis règle le quatrième élément de commutation (Q4) dans un état d'arrêt fixe et un second élément de commutation (Q2) dans l'état de marche fixe, ce qui permet de régler le commutateur à semi-conducteur dans l'état d'arrêt fixe. Ainsi, la consommation d'énergie d'un circuit d'attaque de grille est réduite.
(JA) 駆動信号生成回路は、半導体スイッチのターンオフ時には、第1スイッチング素子(Q1)がオン固定となっている状態から、第4スイッチング素子(Q4)を予め定めた第1期間オンとしてインダクタ素子を励磁した後、第1スイッチング素子(Q1)を予め定めた第2期間オフとしてゲート蓄積電荷を放電し、第1スイッチング素子(Q1)を予め定めた第3期間オンとしてゲート蓄積電荷の放電を中断し、再度第1スイッチング素子(Q1)を予め定めた第4期間オフとし、その後、第4スイッチング素子(Q4)をオフ固定、第2スイッチング素子(Q2)をオン固定として半導体スイッチをオフ固定とする。このようにして、ゲート駆動回路の消費電力を低減する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)