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1. (WO2018078894) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ

Pub. No.:    WO/2018/078894    International Application No.:    PCT/JP2017/000453
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Jan 11 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: SASAKI, Hajime
佐々木 肇
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
Abstract:
Dans la présente invention, des couches semi-conductrices (2, 3) sont formées sur un substrat (1). Une électrode de grille (4), une électrode de source (5) et une électrode de drain (6) sont formées sur la couche semi-conductrice (3). Un premier film de passivation (7) recouvre l'électrode de grille (4) et la couche semi-conductrice (3). Une plaque de champ de source (9) est formée sur le premier film de passivation (7) et s'étend de l'électrode de source (5) à un emplacement situé entre l'électrode de grille (4) et l'électrode de drain (6). Un second film de passivation (10) recouvre le premier film de passivation (7) et la plaque de champ de source (9). Le premier film de passivation (7) comporte un film mince semi-conducteur (8) qui est formé au moins entre l'électrode de grille (4) et l'électrode de drain (6) et qui a une résistivité électrique de 1,0 à 1010 Ω∙cm.