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1. (WO2018078892) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/078892    International Application No.:    PCT/JP2016/088493
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: SASAKI, Hajime
佐々木 肇
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Dans la présente invention, des couches semi-conductrices (2, 3) sont formées sur un substrat (1). Une électrode de grille (4), une électrode de source (5) et une électrode de drain (6) sont formées sur la couche semi-conductrice (3). Un premier film de passivation (7) recouvre l'électrode de grille (4) et la couche semi-conductrice (3). Une plaque de champ de source (9) est formée sur le film de passivation (7) et s'étend de l'électrode de source (5) à un emplacement situé entre l'électrode de grille (4) et l'électrode de drain (6). Un second film de passivation (10) recouvre le premier film de passivation (7) et la plaque de champ de source (9). Une section d'extrémité côté électrode de drain (6) de la plaque de champ de source (9) est soumise à un traitement de courbure de manière à être arrondie.