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1. (WO2018078799) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2018/078799    International Application No.:    PCT/JP2016/082070
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 29 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/06
H01L 21/336
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: ATA Yasuo
阿多 保夫
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comporte une région active, qui est une région dans laquelle sont formés des éléments semi-conducteurs, un bord de puce, qui est la périphérie externe de la couche semi-conductrice, et une région de maintien de tension de tenue qui est agencée entre la région active et le bord de puce. La région de maintien de tension de tenue est recouverte par un film protecteur (15) qui comprend une première couche (15a), et une seconde couche (15b) formée sur celle-ci. La première couche (15a) et la seconde couche (15b) du film protecteur (15) ont la même composition. La seconde couche (15b) est la couche la plus haute du film de protection (15), et a une forme qui donne au film de protection (15) une surface supérieure irrégulière.