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1. (WO2018078680) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/078680 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/081393
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 24.10.2016
CIB :
H01L 23/02 (2006.01) ,H01L 23/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
06
caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
西澤 弘一郎 NISHIZAWA, Koichiro; JP
山本 佳嗣 YAMAMOTO, Yoshitsugu; JP
宮脇 勝巳 MIYAWAKI, Katsumi; JP
渡辺 伸介 WATANABE, Shinsuke; JP
志賀 俊彦 SHIGA, Toshihiko; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI. Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) This semiconductor device is characterized by being provided with: a substrate; a heat generating section formed on the substrate; a cap substrate formed above the substrate so as to have a hollow section between the substrate and the cap substrate; and a reflecting film for reflecting infrared light, said reflecting film being provided above the heat generating section. The reflecting film reflects infrared light emitted to the cap substrate side via the hollow section due to the temperature increase of the heat generating section, thereby suppressing the temperature increase of the cap substrate side. With the temperature increase suppression, effects of suppressing the temperature increase of a mold resin are generated even in the cases where there is a mold resin on the cap substrate.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteur qui est caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat; une section de génération de chaleur formée sur le substrat; un substrat de capuchon formé au-dessus du substrat de manière à avoir une section creuse entre le substrat et le substrat de capuchon; et un film réfléchissant pour réfléchir la lumière infrarouge, ledit film réfléchissant étant disposé au-dessus de la section de génération de chaleur. Le film réfléchissant réfléchit la lumière infrarouge émise vers le côté substrat de capuchon par l'intermédiaire de la section creuse en raison de l'augmentation de température de la section de génération de chaleur, ce qui permet de supprimer l'augmentation de température du côté substrat de capuchon. Avec la suppression d'augmentation de température, des effets de suppression de l'augmentation de température d'une résine de moulage sont générés même dans les cas où il y a une résine de moulage sur le substrat de capuchon.
(JA) この発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された発熱部と、基板の上方に、基板との間に中空部を持つように形成されたキャップ基板と、発熱部の上方に、赤外線を反射する反射膜と、を備えることを特徴としている。発熱部の温度上昇により中空部を介してキャップ基板側に放射される赤外線を反射膜が反射することで、キャップ基板側の温度上昇を抑える作用がある。この作用により、キャップ基板の上にモールド樹脂がある場合でも、モールド樹脂の温度上昇を抑える効果が生じる。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)