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1. (WO2018078538) DISPOSITIFS FET À TRANSPORT VERTICAL UTILISANT UNE ÉPITAXIE SÉLECTIVE À BASSE TEMPÉRATURE
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N° de publication :    WO/2018/078538    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/056610
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2017
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101 (CN) (MG only)
Inventeurs : MOCHIZUKI, Shogo; (US).
JAGANNATHAN, Hemanth; (US)
Mandataire : LITHERLAND, David; (GB)
Données relatives à la priorité :
15/338,653 31.10.2016 US
Titre (EN) VERTICAL TRANSPORT FET DEVICES UTILIZING LOW TEMPERATURE SELECTIVE EPITAXY
(FR) DISPOSITIFS FET À TRANSPORT VERTICAL UTILISANT UNE ÉPITAXIE SÉLECTIVE À BASSE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)Low temperature epitaxial silicon deposition for forming the top source or drain regions of VTFET structures. The methods generally include epitaxially growing a silicon layer with a dopant at a temperature less than 500°C on a first surface and an additional surface to form a single crystalline silicon on the first surface and a polysilicon or amorphous silicon on the additional surface. The epitaxially grown silicon layer is then exposed to an etchant include HCl and germane at a temperature less than 500°C for a period of time effective to selectively remove the polysilicon/amorphous silicon on the additional surface and form a germanium diffused region on and in an outer surface of the single crystalline silicon formed on the first surface.
(FR)L'invention concerne un dépôt de silicium épitaxial à basse température pour former les régions de source ou de drain supérieures de structures VTFET. Les procédés consistent généralement à faire croître de façon épitaxiale une couche de silicium avec un dopant à une température inférieure à 500 °C sur une première surface et une surface supplémentaire pour former un silicium monocristallin sur la première surface et un silicium polycristallin ou amorphe sur la surface supplémentaire. La couche de silicium à croissance épitaxiale est ensuite exposée à un agent de gravure comprenant du HCl et du germanène à une température inférieure à 500 °C pendant une durée efficace pour retirer sélectivement le silicium polycristallin/amorphe sur la surface supplémentaire et former une région de diffusion de germanium sur et dans une surface externe du silicium monocristallin formé sur la première surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)