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1. (WO2018078537) TRANSISTORS VERTICAUX AYANT DES RÉGIONS DE ZONE ACTIVE FUSIONNÉES
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N° de publication : WO/2018/078537 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/056609
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 25.10.2017
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,G06F 17/50 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
17
Equipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des fonctions spécifiques
50
Conception assistée par ordinateur
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District Beijing 100101, CN (MG)
Inventeurs :
ANDERSON, Brent, Alan; US
CHU, Albert; US
KIM, Seong-Dong; US
HOOK, Terence; US
Mandataire :
LITHERLAND, David; GB
Données relatives à la priorité :
15/338,86731.10.2016US
Titre (EN) VERTICAL TRANSISTORS WITH MERGED ACTIVE AREA REGIONS
(FR) TRANSISTORS VERTICAUX AYANT DES RÉGIONS DE ZONE ACTIVE FUSIONNÉES
Abrégé :
(EN) A method for device layout (10) with vertical transistors includes identifying active area regions (18, 28) in a layout (10) of a semiconductor device with vertical transistors. Sets of adjacent active area regions (18, 28) having a same electrical potential are determined. The sets of adjacent active area regions (18, 28) to be merged are prioritized based upon one or more performance criterion. The sets of adjacent active area regions (18, 28) are merged to form larger active area regions according to a priority.
(FR) L'invention concerne un procédé de disposition de dispositif (10) avec des transistors verticaux comprenant l'identification de régions de zone active (18, 28) dans une disposition (10) d'un dispositif à semi-conducteur avec des transistors verticaux. Des ensembles de régions de zone active adjacentes (18, 28) ayant un même potentiel électrique sont déterminés. Les ensembles de régions de zone active adjacentes (18, 28) à fusionner sont classés par ordre de priorité sur la base d'un ou de plusieurs critères de performance. Les ensembles de régions de zone active adjacentes (18, 28) sont fusionnés pour former des régions de zone active plus grandes en fonction d'une priorité.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)