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1. (WO2018078515) GÉNÉRATEUR THERMOÉLECTRIQUE INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/078515 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/056579
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 24.10.2017
CIB :
H01L 27/16 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
16
comprenant des composants thermo-électriques avec ou sans jonction de matériaux différents; comprenant des composants thermomagnétiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
34
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants : CONSORZIO DELTA TI RESEARCH[IT/IT]; Via Vittor Pisani 16 20124 Milano MI, IT
Inventeurs : SPAZIANI, Fabio; IT
IULIANELLA, Enrico; IT
NARDUCCI, Dario; IT
MASCOLO, Danilo; IT
BUOSCIOLO, Antonietta; IT
LATESSA, Giuseppe; IT
GISON, Italo; IT
Mandataire : BARBARO, Gaetano; IT
Données relatives à la priorité :
10201600010934528.10.2016IT
Titre (EN) INTEGRATED THERMOELECTRIC GENERATOR AND RELATED METHOD OF FABRICATION
(FR) GÉNÉRATEUR THERMOÉLECTRIQUE INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé :
(EN) An integrated thermoelectric generator of out-of-plane heat flux configuration can be fabricated with a process fully compatible with standard front-end CMOS or BiCMOS technologies, if portions of the planar electrically non conductive cover layer suspended over the valleys have sufficiently large through holes to let isotropic etching solutions or etching plasma pass therethrough, across the thickness of the non conductive cover layer (9), so as to realize void spaces. The generator further comprises a top capping layer (11) deposited onto a free surface, oriented in an opposite direction in respect to said void spaces, of said planar electrically non conductive cover layer (9) so as to occlude the through holes (10) of the non conductive cover layer (9). A method of fabricating an integrated thermoelectric generator of out-of-plane heat flux configuration is also disclosed.
(FR) L'invention concerne un générateur thermoélectrique intégré de configuration de flux thermique hors plan qui peut être fabriqué avec un procédé entièrement compatible avec des technologies CMOS ou BiCMOS frontales standard si des parties de la couche de couverture plane non conductrice électriquement, qui sont en suspension au-dessus des vallées, présentent des trous de traversée suffisamment grands pour permettre à des solutions de gravure isotropes ou à un plasma de gravure de les traverser sur toute l’épaisseur de la couche de couverture non conductrice (9), afin de réaliser des espaces vides. Le générateur comprend en outre une couche de recouvrement supérieure (11) déposée sur une surface libre, orientée dans une direction opposée à celle desdits espaces vides, de ladite couche de couverture plane non conductrice électriquement (9) de manière à occlure les trous de traversée (10) de la couche de couverture non conductrice (9). L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un générateur thermoélectrique intégré de configuration de flux thermique hors plan.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)