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1. (WO2018078348) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
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N° de publication : WO/2018/078348 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/053200
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 24.10.2017
CIB :
H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/076 (2012.01)
Déposants : IQE PLC.[GB/GB]; Pascal Close St Mellons Cardiff Wales CF3 0LW, GB
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY[SG/SG]; 50 Nanyang Avenue 639798, SG
IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED[GB/GB]; 52 Princes Gate Exhibition Road London SW7 2PG, GB
Inventeurs : YOON, Soon Fatt; SG
TAN, Kian Hua; SG
LOKE, Wan Khai; SG
WICAKSONO, Satrio; SG
EKINS-DAUKES, Nicholas; GB
THOMAS, Tomos; GB
JOHNSON, Andrew David; GB
Mandataire : ABEL & IMRAY; Westpoint Building James Street West Bath Bath and North East Somerset BA1 2DA, GB
Données relatives à la priorité :
1618024.225.10.2016GB
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
Abrégé : front page image
(EN) A photovoltaic diode comprising an emitter layer of doped Group III- V semiconductor material, having a first conductivity type and a first bandgap in at least part of the layer, an intrinsic layer of dilute nitride Group III-V semiconductor material having a composition given by the formula Ga1-zInzNxAsySb1-x-y , where 0 < z < 0.20, 0.01 < x < 0.05, and y > 0.80 having a second bandgap, a base layer of semiconductor material having a third bandgap and a second conductivity type opposite to the first conductivity type. The emitter, intrinsic and base layers form a diode junction. The first bandgap is greater than the second bandgap.
(FR) L’invention concerne une diode photovoltaïque comprenant une couche d’émetteur de matériau semi-conducteur du groupe III-V dopé, ayant un premier type de conductivité et une première bande interdite dans au moins une partie de la couche, une couche intrinsèque de matériau semi-conducteur du groupe III-V à nitrure dilué ayant une composition donnée par la formule Ga1-zInzNxAsySb1-x-y , où 0 < z < 0,20, 0,01 < x < 0,05, et y > 0,80, ayant une deuxième bande interdite, une couche de base de matériau semi-conducteur ayant une troisième bande interdite et un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Les couches d’émetteur, intrinsèques et de base forment une jonction de diode. La première bande interdite est supérieure à la deuxième bande interdite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)