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1. (WO2018078328) ÉCRITURES SÉLECTIVES DANS UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/078328 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/053094
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 13.10.2017
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : ARM LTD[GB/GB]; 110 Fulbourn Road Cambridge CB1 9NJ, GB
Inventeurs : DAS, Shidhartha; GB
HANSSON, Andreas; GB
KUMAR, Akshay; GB
AGARWAL, Piyush; GB
BHAVNAGARWALA, Azeez Jennudin; GB
SHIFREN, Lucian; GB
Mandataire : TLIP LTD; Leeds Innovation Centre 103 Clarendon Road Leeds Yorkshire LS2 9DF, GB
Données relatives à la priorité :
15/334,74726.10.2016US
Titre (EN) SELECTIVE WRITES IN A STORAGE ELEMENT
(FR) ÉCRITURES SÉLECTIVES DANS UN ÉLÉMENT DE STOCKAGE
Abrégé : front page image
(EN) A method of writing a state to a correlated electron element in a storage circuit, comprising receiving a write command to write the state into the correlated electron element; reading a stored state of the correlated electron element; comparing the state and the stored state; and enabling a write driver to write the state into the correlated electron element when the state and read state are different.
(FR) L'invention concerne un procédé d'écriture d'un état sur un élément électronique corrélé dans un circuit de stockage consistant à : recevoir une commande d'écriture pour écrire l'état dans l'élément électronique corrélé ; lire un état stocké de l'élément électronique corrélé ; comparer l'état et l'état stocké; et permettre à une commande d'écriture d'écrire l'état dans l'élément d'électron corrélé lorsque l'état et l'état de lecture sont différents.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)