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1. (WO2018077803) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/077803 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/077005
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 23.10.2017
CIB :
H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 31/0352 (2006.01) ,H01L 31/107 (2006.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352
caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107
la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
EICHFELDER, Marcus; DE
WALTER, Alexander; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 120 419.626.10.2016DE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR BODY
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERKÖRPER
Abrégé :
(EN) The invention relates to a semiconductor body (10) having: - an n-doped region (20), - an active region (60), and - a p-doped region (70), wherein - the active region (60) is arranged between the n-doped region (20) and the p-doped region (70), - the n-doped region (20) comprises: - a first layer sequence (30) which has pairs of alternating layers, wherein - a first and a second layer (31, 32) of each pair differ by the doping concentration thereof, - the first and the second layer (31, 32) of each pair have the same material composition apart from the doping thereof, and - a second layer sequence (50) which has pairs of alternating layers, wherein - a first and a second layer (51, 52) of each pair differ by the material composition thereof, and - the second layer sequence (50) is arranged between the first layer sequence (30) and the active region (60).
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur (10) comprenant : une région dopée n (20), une zone active (60) et une région dopée p (70), la région active (60) étant disposée entre la région dopée n (20) et la région dopée p (70). La zone dopée n (20) comprend : une première succession de couches (30) qui présente des paires de couches alternées, une première et une seconde couche (31, 32) de chaque paire étant différentes en termes de concentration de dopant, la première et la seconde couche (31, 32) de chaque paire présentent la même composition de matière, excepté leur dopage, ainsi qu'une seconde succession de couches (50) qui présente des paires de couches alternées, une première et une seconde couche (51, 32) de chaque paire étant différentes en termes de concentration de dopant, et la seconde succession de couches (50) est disposée entre la première succession de couches (30) et la région active (60).
(DE) Es wird ein Halbleiterkörper (10) angegeben mit: - einem n-dotierten Bereich (20), - einem aktiven Bereich (60), und - einem p-dotierten Bereich (70), wobei - der aktive Bereich (60) zwischen dem n-dotierten (20) und dem p-dotierten Bereich (70) angeordnet ist, - der n-dotierte Bereich (20) umfasst: - eine erste Schichtenfolge (30), welche Paare von alternierenden Schichten aufweist, wobei - sich eine erste und eine zweite Schicht (31, 32) jedes Paars in ihrer Dotierkonzentration unterscheiden, - die erste und die zweite Schicht (31, 32) jedes Paars bis auf ihre Dotierung die gleiche Materialzusammensetzung aufweisen, und - eine zweite Schichtenfolge (50), welche Paare von alternierenden Schichten aufweist, wobei - sich eine erste und eine zweite Schicht (51, 52) jedes Paars in ihrer Materialzusammensetzung unterscheiden, und - die zweite Schichtenfolge (50) zwischen der ersten Schichtenfolge (30) und dem aktiven Bereich (60) angeordnet ist.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)