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1. (WO2018077216) MAGNÉTRON, CHAMBRE DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON
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N° de publication : WO/2018/077216 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/107831
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 26.10.2017
CIB :
C23C 14/35 (2006.01) ,H01J 37/34 (2006.01) ,H01J 25/50 (2006.01)
Déposants : BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD.[CN/CN]; No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing 100176, CN
Inventeurs : YANG, Yujie; CN
ZHANG, Tongwen; CN
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201610930978.731.10.2016CN
Titre (EN) MAGNETRON, MAGNETRON SPUTTERING CHAMBER AND MAGNETRON SPUTTERING DEVICE
(FR) MAGNÉTRON, CHAMBRE DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON ET DISPOSITIF DE PULVÉRISATION À MAGNÉTRON
(ZH) 磁控管、磁控溅射腔室及磁控溅射设备
Abrégé : front page image
(EN) A magnetron, a magnetron sputtering chamber and a magnetron sputtering device. The magnetron comprises a first outer magnetic pole (101) and a first inner magnetic pole (102) which have opposite polarities, the first outer magnetic pole (101) being an annular structure surrounding a rotation centre (O), the first inner magnetic pole (102) being located on the inner side of the first outer magnetic pole (101), a first magnetic field track (103) being formed between the first inner magnetic pole (102) and the first outer magnetic pole (101). A straight line (L) extending out from the rotation centre (O) along a radial direction passes through the first magnetic field track (103) at least two times, the first magnetic field track (103) having opposite magnetic field directions when the straight line passes through the two times. The magnetron solves the technical problem in the prior art that thin films formed by sputtering having poor uniformity.
(FR) La présente invention concerne un magnétron, une chambre de pulvérisation à magnétron et un dispositif de pulvérisation à magnétron. Le magnétron comprend un premier pôle magnétique externe (101) et un premier pôle magnétique interne (102) qui ont des polarités opposées, le premier pôle magnétique externe (101) étant une structure annulaire entourant un centre de rotation (O), le premier pôle magnétique interne (102) étant situé sur le côté interne du premier pôle magnétique externe (101), une première piste de champ magnétique (103) étant formée entre le premier pôle magnétique interne (102) et le premier pôle magnétique externe (101). Une ligne droite (L) s’étendant hors du centre de rotation (O) le long d’une direction traverse la première piste de champ magnétique (103) au moins deux fois, la première piste de champ magnétique (103) ayant des directions de champ magnétique opposées lorsque la ligne droite traverse les deux fois. Le magnétron résout le problème technique dans l’art antérieur en ce que des films minces formés par pulvérisation ont une uniformité médiocre.
(ZH) 一种磁控管、磁控溅射腔室及磁控溅射设备,磁控管包括极性相反的第一外磁极(101)和第一内磁极(102);其中,第一外磁极(101)为环绕旋转中心(O)的环形结构;第一内磁极(102)位于第一外磁极(101)的内侧,且在第一内磁极(102)与第一外磁极(101)之间形成第一磁场轨道(103);自旋转中心(O)且沿其中一条半径方向发射出的直线(L)至少连续两次穿过第一磁场轨道(103),且直线连续两次穿过的第一磁场轨道(103)的磁场方向相反。提供的磁控管能够解决现有技术中存在的溅射形成的薄膜均匀性较差的技术问题。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)