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1. (WO2018077078) STRUCTURE DE BOÎTIER DE LASER À SEMICONDUCTEUR À FAIBLE SMILE
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N° de publication :    WO/2018/077078    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/106594
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 17.10.2017
CIB :
H01S 5/022 (2006.01)
Déposants : FOCUSLIGHT TECHNOLOGIES INC. [CN/CN]; 56 Zhangba 6th Road, High-Tech Zone Xi'an, Shaanxi 710077 (CN)
Inventeurs : WANG, Weifeng; (CN).
TAO, Chunhua; (CN).
LIANG, Xuejie; (CN).
ZHANG, Haoyu; (CN).
ZHANG, Hongyou; (CN).
JIA, Yangtao; (CN).
LIU, Xingsheng; (CN)
Mandataire : CHOFN INTELLECTUAL PROPERTY; Room 1215-1218, Floor 12 Left Bank Community No.68 Beisihuanxilu, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610946466.X 26.10.2016 CN
Titre (EN) PACKAGE STRUCTURE OF LOW-SMILE SEMICONDUCTOR LASER
(FR) STRUCTURE DE BOÎTIER DE LASER À SEMICONDUCTEUR À FAIBLE SMILE
(ZH) 一种低Smile的半导体激光器封装结构
Abrégé : front page image
(EN)A package structure of a low-smile semiconductor laser, comprising a heat sink (1) and a laser chip (2); two surfaces of the heat sink (1) which are opposite to each other are respectively provided with a stress slow-release layer (3) having a thermal expansion coefficient that matches the laser chip (2), the laser chip (2) being bonded to the stress slow-release layer (3). By means of the stress slow-release layer (3), which has a thermal expansion coefficient that matches with the laser chip (2) and is provided on each of the two opposite surfaces of the heat sink (1), the package structure of a low-smile semiconductor laser can effectively reduce the smile effect of the semiconductor laser, optimizing the light beam quality and performance of the semiconductor laser.
(FR)L'invention concerne une structure de boîtier d'un laser à semiconducteur à faible smile, comprenant un dissipateur thermique (1) et une puce laser (2); deux surfaces du dissipateur thermique (1) qui sont opposées l'une à l'autre comprennent respectivement une couche à libération lente de contrainte (3) ayant un coefficient de dilatation thermique qui correspond à la puce laser (2), la puce laser (2) étant liée à la couche à libération lente de contrainte (3). Au moyen de la couche à libération lente de contrainte (3), qui a un coefficient de dilatation thermique qui correspond à la puce laser (2) et est disposée sur chacune des deux surfaces opposées du dissipateur thermique (1), la structure de boîtier d'un laser à semiconducteur à faible smile peut réduire efficacement l'effet smile du laser à semi-conducteur, optimiser la qualité et la performance du faisceau de lumière du laser à semiconducteur.
(ZH)一种低Smile的半导体激光器封装结构,包括热沉(1)和激光芯片(2);热沉(1)相互对应的两个面上分别设置有热膨胀系数与激光芯片(2)匹配的应力缓释层(3),激光芯片(2)键合于应力缓释层(3)上。低Smile的半导体激光器封装结构通过热沉(1)相互对应的两个面上分别设置热膨胀系数与激光芯片(2)匹配的应力缓释层(3),能够有效降低半导体激光器的smile效应,优化了半导体激光器的光束质量和性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)