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1. (WO2018077065) TRANSISTOR À FILMS MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET PANNEAU D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/077065 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/106504
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 17.10.2017
CIB :
H01L 21/34 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd. Chaoyang District Beijing 100015, CN
HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012, CN
Inventeurs : ZHOU, Qiang; CN
ZHU, Chaofan; CN
REN, Xingfeng; CN
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201610943113.431.10.2016CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL
(FR) TRANSISTOR À FILMS MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed are a thin film transistor and a manufacturing method therefor, and an array substrate and a display panel. The manufacturing method comprises: successively forming a semiconductor film containing metal elements, an etch-stopper film and source and drain electrode films on a base substrate; and using the same mask plate to form patterns comprising an active layer, an etch-stopper layer, and a source electrode and a drain electrode on the active layer, wherein the etch-stopper layer is configured to electrically connect the source electrode and the drain electrode to the active layer. Since an etch-stopper film is formed on a semiconductor film containing metal elements, in a pattern forming process, the etch-stopper film can protect the semiconductor film containing the metal elements against etching, thereby guaranteeing the performance of a formed active layer.
(FR) L'invention concerne un transistor à films minces et son procédé de fabrication, un substrat matriciel et un panneau d'affichage. Le procédé de fabrication consiste : à former successivement un film semi-conducteur contenant des éléments métalliques, un film d'arrêt de gravure et des films d'électrode de source et déversoir sur un substrat de base ; à utiliser la même plaque de masque pour former des motifs comprenant une couche active, une couche d'arrêt de gravure, une électrode de source et une électrode déversoir sur la couche active, la couche d'arrêt de gravure étant configurée de sorte à connecter électriquement l'électrode de source et l'électrode déversoir à la couche active. Étant donné qu'un film d'arrêt de gravure est formé sur un film semi-conducteur contenant des éléments métalliques, dans un processus de formation de motif, le film d'arrêt de gravure peut protéger le film semi-conducteur contenant les éléments métalliques contre la gravure, garantissant ainsi le fonctionnement d'une couche active formée.
(ZH) 公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板。该制作方法包括:在衬底基板上依次形成含有金属元素的半导体膜、刻蚀阻膜以及源漏极膜;以及利用同一掩膜版,形成包括有源层、刻蚀阻挡层以及在有源层上的源极和漏极的图形,其中所述刻蚀阻挡层布置成将所述源极和漏极电连接到所述有源层。由于在含有金属元素的半导体膜上形成有刻蚀阻挡膜,在构图工艺中,该刻蚀阻挡膜可以保护含有金属元素的半导体膜不被刻蚀,保证了形成的有源层的性能。 (图2)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)