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1. (WO2018076907) DISPOSITIF QLED À BASE DE STRUCTURE P-I-N ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/076907 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/098254
Date de publication : 03.05.2018 Date de dépôt international : 21.08.2017
CIB :
H01L 51/50 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Déposants :
TCL集团股份有限公司 TCL CORPORATION [CN/CN]; 中国广东省惠州市 仲恺高新技术开发区十九号小区 No.19 Community, Zhongkai Hi-Tech Development District Huizhou, Guangdong 516006, CN
Inventeurs :
钱磊 QIAN, Lei; CN
杨一行 YANG, Yixing; CN
曹蔚然 CAO, Weiran; CN
向超宇 XIANG, Chaoyu; CN
陈崧 CHEN, Song; CN
Mandataire :
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) JOHNSON INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (SHENZHEN); 中国广东省深圳市 南山区麒麟路1号南山知识服务大楼308-309号 Room 308-309, Knowledge Service Building No.1, Qilin Road, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518052, CN
Données relatives à la priorité :
201610939765.025.10.2016CN
Titre (EN) P-I-N STRUCTURE-BASED QLED DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF QLED À BASE DE STRUCTURE P-I-N ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种基于p-i-n结构的QLED器件及其制备方法
Abrégé :
(EN) A p-i-n structure-based QLED device, comprising a substrate (10), a bottom electrode (20), a hole transport layer (30), an electron blocking layer (40), a quantum dot light emitting layer (50), a hole blocking layer (60), an electron transport layer (70), and a top electrode (80). On one hand, a p-type material is used as a hole transport layer and an n-type material is used as an electron transport layer to reduce a driving voltage of the QLED device, thereby effectively reduce the quenching of quantum dot light emitting due to the Stark effect. On the other hand, an intrinsic matrix material (100) is introduced into a quantum dot light emitting layer to reduce the cross relaxation between quantum dots (90) and to increase the probability of radiative recombination; meanwhile, injected electrons and holes can further be effectively trapped to improve the current efficiency, thereby improving the light emitting efficiency of the device and increasing the service life and the stability of the device.
(FR) L'invention concerne un dispositif QLED à base de structure p-i-n, comprenant un substrat (10), une électrode inférieure (20), une couche de transport de trous (30), une couche de blocage d'électrons (40), une couche électroluminescente à points quantiques (50), une couche de blocage de trous (60), une couche de transport d'électrons (70), et une électrode supérieure (80). D'une part, un matériau de type p est utilisé en tant que couche de transport de trous et un matériau de type n est utilisé en tant que couche de transport d'électrons pour réduire une tension d'attaque du dispositif QLED, ce qui permet de réduire efficacement l'atténuation de l'émission de lumière à points quantiques due à l'effet Stark. D'autre part, un matériau de matrice intrinsèque (100) est introduit dans une couche électroluminescente à points quantiques pour réduire la relaxation transversale entre les points quantiques (90) et pour augmenter la probabilité de recombinaison radiative ; pendant ce temps, les électrons et les trous injectés peuvent en outre être efficacement piégés afin d'améliorer l'efficacité du courant, ce qui permet d'améliorer l'efficacité d'émission de lumière du dispositif et d'augmenter la durée de vie et la stabilité du dispositif.
(ZH) 一种基于p-i-n结构的QLED器件,包括衬底(10)、底电极(20)、空穴传输层(30)、电子阻挡层(40)、量子点发光层(50)、空穴阻挡层(60)、电子传输层(70)以及顶电极(80)。其中,一方面通过以p型材料作为空穴传输层以及以n型材料作为电子传输层,来降低QLED器件的驱动电压,从而有效减少斯塔克效应对量子点发光的猝灭;另一方面,通过在量子点发光层中引入本征基质材料(100)来降低量子点(90)之间的交叉弛豫,增强辐射复合几率,同时还可以有效俘获注入的电子和空穴以提高电流效率,从而提高器件的发光效率以及增加器件的使用寿命和稳定性。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)