L'invention concerne un procédé de soudage hybride entre des plaquettes de silicium, le procédé consistant : à disposer deux substrats de plaquettes de silicium, et à obtenir une surface de planarisation et un diélectrique sur les substrats de plaquettes de silicium au moyen d'un post-processus au cuivre conventionnel (S01); à retirer une partie du cuivre de la surface d'une structure à motifs de cuivre au moyen d'un processus de gravure afin de former une certaine quantité d'évidements de cuivre (S02); à déposer une couche de métal de soudage sur la surface de cuivre au moyen d'un processus de dépôt sélectif (S03); à soumettre le métal de soudage et le diélectrique à une activation de surface au moyen d'un processus d'activation de surface (S04); à aligner et à presser les deux plaquettes de silicium ensemble pour arriver à un soudage diélectrique (S05); et à arriver à un soudage de métal au moyen d'un processus de recuit (S06). Le procédé peut résulter en un soudage métallique suffisant à une faible température de recuit, et peut ainsi réduire le risque de délamination du diélectrique causée par une différence d'expansion thermique, faciliter la réduction de la difficulté d'intégration de processus, réduire le temps de processus et améliorer le rendement de produit.