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1. (WO2018076406) PUCE DE DEL NON POLAIRE À STRUCTURE VERTICALE SUR UN SUBSTRAT DE GALLATE DE LITHIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Pub. No.:    WO/2018/076406    International Application No.:    PCT/CN2016/105812
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 16 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 33/06
H01L 33/12
H01L 33/32
Applicants: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
华南理工大学
Inventors: LI, Guoqiang
李国强
WANG, Wenliang
王文樑
ZHANG, Zichen
张子辰
Title: PUCE DE DEL NON POLAIRE À STRUCTURE VERTICALE SUR UN SUBSTRAT DE GALLATE DE LITHIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abstract:
La présente invention concerne une puce de DEL non polaire à structure verticale sur un substrat de gallate de lithium et son procédé de préparation. Selon le procédé, des tranches épitaxiales de DEL sont développées sur un substrat de gallate de lithium, les tranches épitaxiales de DEL comprennent une couche tampon de GaN développée sur le substrat de gallate de lithium, une couche de GaN non dopée sur la couche tampon de GaN, un film mince de GaN dopé de type n (5) sur la couche de GaN non dopée, un puits quantique InGaN/GaN (4) sur le film mince de GaN dopé de type n et un film mince de GaN dopé de type p (3) sur le puits quantique InGaN/GaN. Puis, des motifs d'électrode sont préparés sur les surfaces des tranches épitaxiales de DEL par les étapes de dépôt à la tournette, photogravure, développement et nettoyage, et un métal d'électrode est déposé de manière séquentielle sur les surfaces supérieures des tranches épitaxiales. Ensuite, les tranches épitaxiales de DEL sont transférées vers un substrat en cuivre. Finalement, le substrat de gallate de lithium d'origine est décollé au moyen d'une solution de HCl, une couche de protection de dioxyde de silicium est préparée, la partie correspondante d'une électrode est exposée, puis, du SiO2 sur l'électrode est éliminé par gravure, et une puce de DEL à structure verticale complète est formée.